| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 半导体器件，包括：埋入在下绝缘膜中形成的互连槽中的互连，和上绝缘膜，上绝缘膜具有形成的下至互连的一个端部的接触孔。使用具有主互连部分100和延伸部分104的设计图形形成互连槽，延伸部分104设置在用于形成互连的主互连部分100的一个端部并按垂直于主互连部分100的延伸方向延伸。 | ||
| 申请公布号 | CN1512576A | 申请公布日期 | 2004.07.14 |
| 申请号 | CN200310123588.1 | 申请日期 | 2003.12.26 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 鹰尾义弘 |
| 分类号 | H01L23/522;H01L21/768 | 主分类号 | H01L23/522 |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 经志强;潘培坤 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：形成在半导体衬底上的第一绝缘膜；互连，埋置在第一绝缘膜的至少表面侧中，并具有一主互连部分和设置在主互连部分的一个端部并向垂直于主互连部分的延伸方向延伸的延伸部分；以及第二绝缘膜，形成在第一绝缘膜上，并具有向下达到互连的主互连端部的接触孔。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||