以SiN<SUB>x</SUB>为梁的微结构谐振梁压力传感器制造方法

摘要

一种以SiN_x为梁的新型微结构谐振梁压力传感器制造方法包括步骤：a)在(100)晶向的双面抛光硅片上，沉积氮化硅薄膜；b)沉积牺牲层；c)光刻牺牲层图形；d)沉积SiN_x膜，用于制作谐振梁；e)制作激振电阻和拾振电阻；f)制作金属引线；g)刻蚀梁槽，制作谐振梁；h)刻蚀硅片背面低应力氮硅化合物薄膜，形成各向异性腐蚀窗口；i)背面硅腐蚀，制作压力敏感膜；j)腐蚀掉牺牲层，释放SiN_x谐振梁，使SiN_x谐振梁能够自由振动；k)粘片、焊引线。将芯片键合在金属管座上，并焊上引线；l)真空封装。将焊好的管座和管帽真空封焊在一起。由于SiN_x具有更好的机械加工性能，可以制作更为复杂的谐振粱器件。

主权项

1.一种以SiNx为梁的微结构谐振梁压力传感器制造方法，包括步骤：a)在(100)晶向的双面抛光硅片上，沉积氮化硅薄膜；b)沉积牺牲层；c)光刻牺牲层图形；d)沉积SiNx膜，用于制作谐振梁，其中，x的值为0.3-0.8；e)制作激振电阻和拾振电阻；f)制作金属引线；g)刻蚀梁槽，制作谐振梁；h)刻蚀硅片背面低应力SiNx薄膜，形成各向异性腐蚀窗口；i)背面硅腐蚀，制作压力敏感膜；j)腐蚀掉牺牲层，释放SiNx谐振梁，使SiNx谐振梁能够自由振动；k)粘片、焊引线，将芯片键合在金属管座上，并焊上引线；l)真空封装，将焊好的管座和管帽真空封焊在一起。