| 摘要 |
揭示利用双极接面电晶体(bipolarjunctiontransistor)之磁性随机存取记忆体(MRAM)之写入方法。本写入方法系使用于利用双极接面电晶体所形成之MRAM上，此磁性随机存取记忆体包含：作为双极接面电晶体之基极之半导体基板；形成在半导体基板之主动区上(activeregion)之双极接面电晶体之射极及集极；位在射极和集极间之主动区上，与射极和集极各隔一既定距离之MTJ胞(cell)；形成在MTJ胞上之字线(wordline)；接至集极之位元线(bitline)；及接至射极之参考电压线。利用双极接面电晶体之MRAM之写入方法系藉使电流从射极流向集极并藉电流所产生之磁场改变MTJ胞之游离铁磁性层之磁化方向而写入资料。磁化方向能在比MTJ胞和位元线间之距离更短之距离内变化，从而降低电流之消耗。藉此，能改善半导体元件之性质及可靠性。 |
