含铟晶圆及其制造方法

摘要

本发明系提供一种可确实地去除水银之含铟晶圆及其制造方法，可精确地测定含铟晶圆特性、且可适用非破坏试验之水银C-V法。本发明含铟晶圆之特征在于：具有水银去除层，其系以去除附着于表面之水银为目的，包括形成于最外表面层之附加性化合物半导体。又，本发明含铟晶圆之制造方法之特征在于：以附着于上述水银去除层之表面的水银作为电极，评估该晶圆之电气特性后，藉由去除该水银去除层，去除表面所附着之水银。