| 摘要 |
本发明提供一种制造半导体装置的方法，其中多层硬光罩层系一由氮化物膜／氧化物膜／氮化物膜所组成的结构。该制造一半导体装置的方法包括下列步骤：形成一闸极绝缘膜与一闸极电极导体层；于该导体层上形成一多层硬光罩层，其中该多层硬光罩层中每一层皆系由互不相同之材料所构成；对该结构进行蚀刻，以便形成由一闸极绝缘膜图案、一闸极电极以及一硬光罩层图案所组成之堆叠结构；形成一绝缘膜分隔体；于整个表面上形成一层间绝缘膜；对该层间绝缘膜进行蚀刻，以便形成一陆地插塞端子孔；于整个表面上形成陆地插塞的导体层；以及对陆地插塞的导体层进行平整处理，以便形成陆地插塞。 |
