半导体记忆体装置及半导体装置

摘要

一种半导体记忆装置，包括含有多个记忆体单元之一组记忆体单元阵列，每一记忆体单元各含有一第一MISFET(金属绝缘矽场效电晶体)和一第二MISFET。该第一MISFET包括一第一源极区，一第一汲极区，及一第一闸极，以及在该第一源极区和第一汲极区之间的一层半导体层，该半导体层是处于浮动状态的一个浮动本体。而该第二MISFET则包括一第二源极区，一第二汲极区，和一第二闸极，以及位于该第二源极及第二汲极之间的一层半导体层，且该半导体层乃系与第一MISFET共用之上述浮动本体。