具有高耦合比之快闪记忆体装置及其制造方法

摘要

本案提供一种具有高耦合比之快闪记忆体装置及其制造方法，该制造方法包括下列步骤：(a)提供一基板；(b)分别形成一第一隔离结构及一第二隔离结构于该基板上，且该第一隔离结构及该第二隔离结构突出于该基板表面；(c)形成一闸极电极于该第一隔离结构及该第二隔离结构间之该基板上方，并向两侧延伸且覆盖住部份该第一隔离结构及该第二隔离结构；(d)蚀刻未被该闸极电极所覆盖之该第一隔离结构及该第二隔离结构达一特定深度；(e)形成一第一复晶矽层于该闸极电极与该第一隔离结构及该第二隔离结构上；以及(f)蚀刻该第一复晶矽层与该闸极电极、该第一隔离结构及该第二隔离结构所接触之水平部份，使第一隔离结构及该第二隔离结构之部份表面裸露出来。