发明名称 半导体式气体感测元件及气体感测装置
摘要 本发明有关一种半导体式气体感测元件及气体感测装置。使用氧化钴及选择性加入金做为感测材料,利用感测材料因一氧化碳或氢之存在所产生之电阻变化对应其浓度而测得。本发明可在40℃以上,最佳在80至120℃之温度范围内,即可操作及可检测一氧化碳及氢气。
申请公布号 TW200411171 申请公布日期 2004.07.01
申请号 TW091137648 申请日期 2002.12.27
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 吴仁彰;苏平贵;胡正鸿;叶君棣
分类号 G01N27/12 主分类号 G01N27/12
代理机构 代理人
主权项
地址 新竹县竹东镇中兴路四段一九五号