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提供一种在形成用于电容结构之矽化钨时，藉由循环沈积(cyclicaldeposition)沈积钨层之方法和设备。一形成电容结构中电极之具体实施例至少包含：于一结构上沈积一多晶矽层，和藉由循环沈积于该多晶矽层上沈积钨层。将该钨层退火以自该多晶矽层和该钨层形成一矽化钨层。该矽化钨层于该电容结构中作为一电极。于一态样中，该矽化钨层可用于形成三维电容结构(three-dimensionalcapacitorstructures)，诸如沟槽式电容、冠状电容、和其他型态之电容。于另一态样中，该矽化钨层可用于形成至少包含半球状矽晶层(hemi-sphericalsilicongrainlayer)或粗多晶矽层(roughpolysiliconlayer)之电容结构。 |
