| 摘要 |
本发明揭示一种形成一半导体装置之接触垫之方法，其包括如下步骤：在一矽基板上形成复数个相邻的导电层图案；在该等导电层图案的一顶部上形成一绝缘层；在该绝缘层上沈积一充当一硬光罩的材料层；在该硬光罩材料层上的该等导电层图案之间形成一光阻图案，从而形成一接触孔；藉由使用该光阻图案作为一蚀刻光罩来蚀刻该硬光罩材料层以形成该硬光罩，从而定义用以形成一接触的一区域；移除该光阻图案；藉由使用该硬光罩作为一蚀刻光罩来蚀刻该绝缘层而将该矽基板暴露，从而形成一开口部分；在该开口部分上形成一聚合物层；藉由实施一回蚀处理移除该硬光罩与该聚合物层以暴露该矽基板；以及在该已暴露矽基板上形成一接触垫。 |
