发明名称 | 防止钨插塞腐蚀的方法 | ||
摘要 | 一种在半导体元件的制程中防止钨插塞腐蚀的方法,其中在基底上已形成有钨插塞,且钨插塞系与形成在基底上的导线耦接。然后,利用除电装置处理基底,以除去在导线蚀刻制程中累积在导线表面上的电荷。之后,进行一湿式清洁步骤。 | ||
申请公布号 | TW200411756 | 申请公布日期 | 2004.07.01 |
申请号 | TW091137267 | 申请日期 | 2002.12.25 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 游宗龙;马思尊;张国华 |
分类号 | H01L21/306;H05F3/00 | 主分类号 | H01L21/306 |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学园区力行路十六号 |