发明名称 防止钨插塞腐蚀的方法
摘要 一种在半导体元件的制程中防止钨插塞腐蚀的方法,其中在基底上已形成有钨插塞,且钨插塞系与形成在基底上的导线耦接。然后,利用除电装置处理基底,以除去在导线蚀刻制程中累积在导线表面上的电荷。之后,进行一湿式清洁步骤。
申请公布号 TW200411756 申请公布日期 2004.07.01
申请号 TW091137267 申请日期 2002.12.25
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 游宗龙;马思尊;张国华
分类号 H01L21/306;H05F3/00 主分类号 H01L21/306
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 新竹市新竹科学园区力行路十六号