控制包覆磁性材料之碳基奈米结构制程

摘要

本发明系一种控制包覆磁性材料之碳基奈米结构制程，系以电子回旋共振微波电浆沉积法(化学气相沉积法)，成长包覆磁性材料之碳奈米结构及其后处理时，施以适当的磁场以改进磁性异向性；并以表面具有触媒和添加物之基材通以直流偏压源及加热，做电浆前处理使进行基材表面蚀刻，再使反应气体进行化学气相沉积；藉此，达到控制奈米结构材料之尺寸、形状、形成具方向性排列成长之奈米结构，可有效提高磁记忆媒体之纪录密度，并具保护隔离效果以避免相互干扰，而且具磁异方性和矫顽磁力高的效果。