发明名称 具有隔离功能之闸极电极结构及其制造方法
摘要 本案系指一种具有隔离功能之闸极电极结构及其制造方法,该制造方法包括下列步骤:提供一基板;形成一闸极电极层上;形成一隔离层于该闸极电极层上,且该隔离层与该闸极电极层具有相同之覆盖面积;去除部份之该闸极电极层及该隔离层,藉以分别定义出一闸极电极结构及一隔离结构;形成一保护层于该闸极电极结构及该隔离结构上;以及去除该保护层之水平部份,藉以于该闸极电极结构及该隔离结构之两侧形成一间隙壁结构。
申请公布号 TW200411747 申请公布日期 2004.07.01
申请号 TW091137064 申请日期 2002.12.23
申请人 华邦电子股份有限公司 发明人 刘汉兴
分类号 H01L21/28;H01L21/76 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人 蔡清福
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区研新三路四号