发明名称 表面发射半导体激光器及其制造方法
摘要 一种表面发射半导体激光器包括:衬底、衬底上的半导体层叠层、在叠层上形成并具有激光发射窗的台体,和至少覆盖台体的侧面和外围部分的绝缘膜,该台体的外围部分由叠层形成。绝缘膜的末端被设置得比衬底的截断端更靠内。
申请公布号 CN1508916A 申请公布日期 2004.06.30
申请号 CN03156934.X 申请日期 2003.09.15
申请人 富士施乐株式会社 发明人 大森诚也
分类号 H01S5/18;H01S5/183 主分类号 H01S5/18
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 代理人 李辉
主权项 1.一种表面发射半导体激光器,该激光器包括:衬底;衬底上的半导体层叠层;在该叠层上形成的并且具有激光发射窗的台体;以及至少覆盖台体的侧面和外围部分的绝缘膜,该台体的外围部分由叠层形成,该绝缘膜的末端比衬底的截断端更靠内。
地址 日本东京
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