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发明名称 GaN-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF PRODUCING GaN-BASED CRYSTAL
摘要
申请公布号 EP1071143(A4) 申请公布日期 2004.06.30
申请号 EP19980957169 申请日期 1998.12.04
申请人 MITSUBISHI CABLE INDUSTRIES, LTD. 发明人 HIRAMATSU, KAZUMASA;OKAGAWA, HIROAKI;OUCHI, YOICHIRO;MIYASHITA, KEIJI;TADATOMO, KAZUYUKI
分类号 H01L33/10;H01L33/14;H01L33/32;H01S5/20;H01S5/323;(IPC1-7):H01S3/18;H01S5/183;H01L21/20 主分类号 H01L33/10
代理机构 代理人
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