| 发明名称 | 平板显示的驱动芯片用高压器件结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 平板显示的驱动芯片用高压器件，由高压二极管、高压P型MOS管和高压N型横向双扩散MOS管组成，高压N型横向双扩散MOS管设在P型衬底上，在P型衬底上位于高压N型横向双扩散MOS管的源区下方位置设有P型阱，在P型衬底上设N型深阱，高压二极管和高压P型MOS管设在N型深阱内。制备方法：在预清洗后的P型衬底上制N型深阱，在N型深阱内制高压二极管和高压P型MOS管的P型漂移区，在P型衬底上制高压N型横向双扩散MOS管N型漂移区及P型阱，高压N型横向双扩散MOS管的源区位于其中，在N型深阱内制P型阱区，其位置为高压P型MOS管的源区及厚栅氧的下方；调整沟道阀值电压，制多晶硅栅，制源区、漏区及接触孔，蒸铝，反刻铝、钝化处理。 | ||
| 申请公布号 | CN1155934C | 申请公布日期 | 2004.06.30 |
| 申请号 | CN02112706.9 | 申请日期 | 2002.03.01 |
| 申请人 | 东南大学 | 发明人 | 孙伟锋;胡晨;时龙兴 |
| 分类号 | G09G3/32;H01L27/04;H01L29/78 | 主分类号 | G09G3/32 |
| 代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王之梓 |
| 主权项 | 1、一种平板显示的驱动芯片用高压器件结构，由高压二极管(1)、高压P型MOS管(2)和高压N型横向双扩散MOS管(3)组成，其特征在于高压N型横向双扩散MOS管(3)设在P型衬底(5)上，在P型衬底(5)上位于高压N型横向双扩散MOS管(3)的源区(32)下方位置设有P型阱(51)，在P型衬底(5)上设有N型深阱(4)，高压二极管(1)和高压P型MOS管(2)设在N型深阱(4)内。 | ||
| 地址 | 210096江苏省南京市四牌楼2号 | ||