半导体薄膜及其制造方法以及使用该薄膜的太阳能电池

摘要

提供了至少包含含有Ib族元素、IIIb族元素和VIb族元素的n型化合物半导体层的半导体薄膜、其制造方法以及使用该半导体薄膜的太阳能电池。该太阳能电池包含有基板(71)，在基板(71)上顺序层合的背面电极(72)、p型半导体层(13)、n型化合物半导体层(12)、n型半导体层(14)、窗层(76)和透明导电膜(77)，p侧电极(78)，以及n侧电极(79)。n型化合物半导体层(12)含有Ib族元素、IIIb族元素、VIb族元素和II族元素，是载流子密度高的n型。

主权项

1.半导体薄膜，其特征是，其至少包含含有Ib族元素、IIIb族元素、VIb族元素和II族元素的n型化合物半导体层，所述的n型化合物半导体层以X∶Y∶Z的比例含有Ib族元素、IIIb族元素和VIb族元素，式中，0.05≤X≤0.2，0.25≤Y≤0.4，0.45≤Z≤0.65。