氟铝酸锂系列晶体的软坩埚下降生长方法

摘要

本发明是一种LAF系列晶体的坩埚下降生长方法，其特征在于，采取低温固相氟化处理的方法和软坩埚下降方法。以NH₄F为氟化剂，在80～150℃的温度下加热进行为期3～4周的低温减压脱水，然后在300℃左右经24小时的减压氟化，再在560度以上的温度下抽真空烧结，软坩埚下降方法是以铂金薄片在0.06-0.15mm厚度制作坩埚，其尺寸为φ8-25mmX250-300mm，晶体生长界面温度为770-820℃，温度梯度控制在20-30℃/cm左右，向上向下逐步减小，生长速度每天5-10mm，直至生长完成。

主权项

1.一种LAF系列晶体的坩埚下降生长方法，以该晶体组成的氟化物为原料，按照其化学分子式计量其配比，并经低温固相氟化处理后，装入晶体生长的坩埚中，在抽真空后密封，置于生长炉中熔化后，以20mm以上/每天的速度下降坩埚，实施快速结晶提纯，然后以软薄的铂金坩埚下降生长方法生长晶体，其特征在于所说的低温固相氟化处理，是以NH4F为氟化剂，氟化剂的用量在使用含结晶水的氟化物原料时，过量10％以上，对不含结晶水的氟化物原料按其计算量的摩尔数的20％加入，在减压0.5个大气压的条件下，于80-150℃的低温下加热3-4周的时间脱水，然后在同样的减压条件下于300℃左右经24小时的减压氟化，再于560℃以上的温度下抽真空烧结。