发明名称 |
双位元非挥发性存储单元的结构及其读写方法 |
摘要 |
一种双位元非挥发性存储单元结构及其读写方法,此存储单元包括二堆叠栅结构、二堆叠栅结构间的一掺杂区,及位于二堆叠栅结构外侧的二源/漏极区,源/漏极区的掺杂型态与掺杂区相同。写入时,同时将二堆叠栅结构下方的通道打开,以通道电流的方向选择欲写入的浮置栅极。读数据时,在第一浮置栅极上方的第一、第二控制栅极上施加读取偏压、转移偏压,以二源/漏极区导通与否来决定数据是否写入,其中读取偏压大于擦除状态的通道启始电压,小于写入状态的启始电压,转移偏压大于写入状态的启始电压。 |
申请公布号 |
CN1156009C |
申请公布日期 |
2004.06.30 |
申请号 |
CN01104742.9 |
申请日期 |
2001.02.23 |
申请人 |
联华电子股份有限公司 |
发明人 |
陈锦扬 |
分类号 |
H01L27/115;H01L27/105;H01L21/8239 |
主分类号 |
H01L27/115 |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波 |
主权项 |
1.一种双位元非挥发性存储单元的结构,包括:一基底;位于该基底上的二堆叠栅结构,其中每一堆叠栅结构都包括由下而上堆叠的一隧道层、一浮置栅极、一栅间介电层与一控制栅极;一掺杂区,该掺杂区位于该二堆叠栅结构之间的该基底中;以及二源/漏极区,该二源/漏极区分别位于该二堆叠栅结构外侧的该基底中,且该二源/漏极区的掺杂型态与该掺杂区相同。 |
地址 |
台湾省新竹科学工业园区 |