| 发明名称 | 在器件表面上形成薄平坦层的组合CMP腐蚀法 | ||
| 摘要 | 一种在器件表面上形成薄平坦层的组合CMP-腐蚀法，包括以下步骤：提供包括多个表面突起的基片，所述突起间限定有间隙；在所述基片上形成可蚀层；对所述可蚀层进行CMP工艺，从而形成具有大于1000埃的第一厚度的平坦层；及腐蚀所述平坦层至小于1000埃的第二厚度。 | ||
| 申请公布号 | CN1155059C | 申请公布日期 | 2004.06.23 |
| 申请号 | CN99814742.7 | 申请日期 | 1999.12.23 |
| 申请人 | 奥罗拉系统公司 | 发明人 | 雅各布·D·哈斯克尔;徐荣 |
| 分类号 | H01L21/302;G02F1/136 | 主分类号 | H01L21/302 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种在器件表面上形成薄平坦层的方法，所述方法包括以下步骤：提供包括多个表面突起的基片，所述突起间限定有间隙；在所述基片上形成可蚀层；对所述可蚀层进行CMP工艺，从而形成具有第一厚度的第一平坦层；及腐蚀所述第一平坦层至第二厚度以形成薄的平坦层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||