| 发明名称 | 在圆管基材上制备光催化剂薄膜的旋转浸渍提拉法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种在圆管基材上制备光催化剂薄膜的旋转浸渍提拉法，它包括下列步骤：(a)圆管基材的清洁和干燥处理；(b)根据光催化剂薄膜结构的需要在圆管基材上制备或不制备SiO<SUB>2</SUB>底层薄膜法；(c)采用溶胶凝胶法按规定配方配制浓度为0.2－2.5摩尔/升的光催化剂溶液；(d)以轴向运动速度1－5mm·s<SUP>－1</SUP>、径向旋动速度100－400转·min<SUP>－1</SUP>将圆管基材在浓度为0.2－2.5摩尔/升光催化剂溶胶中旋转浸渍提拉制膜，湿膜在70－50℃干燥10－20min冷却，重复上述操作至达到要求厚度为止，然后在300－600℃烘烤0.5－3小时。所制得的二氧化钛光催化剂薄膜，成膜光亮而均匀。 | ||
| 申请公布号 | CN1506164A | 申请公布日期 | 2004.06.23 |
| 申请号 | CN02149602.1 | 申请日期 | 2002.12.11 |
| 申请人 | 中国科学院广州能源研究所 | 发明人 | 梁园园;何明兴;李新军;王良焱;张琦;黄琮;郑少健 |
| 分类号 | B01J37/02;B01J35/02;B01J21/06;B01J23/889 | 主分类号 | B01J37/02 |
| 代理机构 | 广州科粤专利代理有限责任公司 | 代理人 | 赖汉光 |
| 主权项 | 1.一种在圆管基材上制备光催化剂薄膜的旋转浸渍提拉法，依次包括下列步骤：(a)圆管基材的清洁和干燥处理；(b)根据光催化剂薄膜结构的需要在圆管基材上制备或不制备SiO2底层薄膜，制备方法为以轴向运动速度1-5mm·s-1、径向旋动速度100-400转·min-1将圆管基材在浓度为0.3-2.5摩尔/升的SiO2溶胶中旋转浸渍提拉制膜，湿膜在70-150℃干燥10-20min，冷却，重复上述操作至达到要求厚度为止；(c)采用溶胶凝胶法按规定配方配制浓度为0.2-2.5摩尔/升的光催化剂溶液；(d)以轴向运动速度1-5mm·s-1、径向旋动速度100-400转·min-1将圆管基材在浓度为0.2-2.5摩尔/升光催化剂溶胶中旋转浸渍提拉制膜，湿膜在70-150℃干燥10-20min，冷却，重复上述操作至达到要求厚度为止，然后在300-600℃烘烤0.5-3小时。 | ||
| 地址 | 510170广东省广州市先烈中路81大院 | ||