具有沟槽隔离结构的半导体器件及其制造方法

摘要

提供一种带沟槽隔离结构的半导体器件，包括半导体衬底，形成在衬底的表面区内并由第一和第二隔离介质填充的隔离沟槽，形成在衬底的表面区上覆盖隔离沟槽的层间介质层，以及形成在层间介质层上与隔离沟槽重叠的导电层。层间介质层具有位于隔离沟槽附近的接触孔。接触孔由腐蚀工艺形成。导电层通过层间绝缘层的接触孔接触并电连接到衬底的区域。

主权项

1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；隔离沟槽，形成在所述衬底的所述表面区内并由第一和第二隔离介质填充；层间介质层，形成在所述衬底的所述表面区上覆盖所述隔离沟槽；导电层，形成在所述层间介质层上与所述隔离沟槽重叠；所述层间介质层具有位于所述隔离沟槽附近的接触孔；所述接触孔由腐蚀工艺形成；所述导电层通过所述层间介质层的所述接触孔接触并电连接到所述衬底的区域；所述第一隔离介质作为原绝缘体；并且所述第二隔离介质作为二次绝缘体；所述第一隔离介质具有一对凹陷，位于所述隔离沟槽的一对上端角；所述第一隔离介质的所述凹陷对由所述第二隔离介质填充；在形成所述接触孔的腐蚀工艺中，所述第二介质比所述第一介质的腐蚀速率低。