制造发光二极管的方法

摘要

制造发光二极管的方法包括：在第一导电型GaAs基底上形成单层或多层Al_xGa_yIn_1-x-yP发光层、第二导电型Al_xGa_yIn_1-x-yP中间层，第二导电型的Al_xGa_yIn_1-x-yP电流扩散层；形成第一导电型的第一电极和第二导电型的第二电极以分别触接GaAs基底和电流扩散层；在所述电流扩散层和第二电极的暴露的表面形成保护膜；用切割形成沟槽以置入所述第二电极并到达GaAs基底；用溴类蚀刻剂将发光层、中间层和电流扩散层蚀刻约4μm或更多；去除所述保护膜。

主权项

1.一种用于制造发光二极管的方法，包括以下步骤：在第一导电型的GaAs基底上依次形成单层或多层第二导电型的AlxGayIn1-x-yP(0≤x≤1，0≤y≤1)发光层、第二导电型的AlxGayIn1-x-yP(0≤x≤1，0≤y≤1)中间层，和第二导电型的AlxGayIn1-x-yP(0≤x≤1，0≤y≤1)电流扩散层；形成第一导电型的第一电极和第二导电型的第二电极以分别接触所述GaAs基底和电流扩散层；在所述电流扩散层和第二电极的暴露的表面上形成保护膜；通过切割形成沟槽以置入所述第二电极并深入到所述GaAs基底；用溴类蚀刻剂从每个沟槽的侧表面在平行于所述基底表面的方向上将所述发光层、中间层和电流扩散层蚀刻约4μm或更多，而不到达每个相邻的第二电极的端部；和去除形成在所述电流扩散层和第二电极上的保护膜。