| 主权项 |
1.一种用以处理以及测试一半导体元件的方法,其中该半导体元件包含复数个接垫设于其上以及一绝缘层设于该接垫的表面上,该方法包含下列步骤:以打线的方式破坏在该接垫上之绝缘层使得一个第一金属凸块形成于每一接垫上并且直接接触该接垫;将一具有复数个连接接点的探测器移至该半导体元件上使得每一连接接点电性连接一接垫上之第一金属凸块;以及经由该探测器的连接接点测试该半导体元件。2.依申请专利范围第1项之用以处理以及测试一半导体元件的方法,另包含在对该半导体元件执行测试步骤之后,将该探测器从该半导体元件移开,以及将该第一金属凸块从该半导体元件移除。3.依申请专利范围第2项之用以处理以及测试一半导体元件的方法,其中凸块移除步骤系由乾蚀刻达成。4.依申请专利范围第2项之用以处理以及测试一半导体元件的方法,其中凸块移除步骤系由湿蚀刻达成。5.依申请专利范围第1项之用以处理以及测试一半导体元件的方法,另包含在对该半导体元件执行测试步骤之后,将该探测器从该半导体元件移开;以及执行一打线制程以形成一第二金属凸块将该第一金属凸块包含于其中以及一连接线连接于该第二金属凸块与一基板或是导线架之间。6.依申请专利范围第1项之用以处理以及测试一半导体元件的方法,其中该绝缘层系为该半导体元件表面之保护层(passivation layer)。7.依申请专利范围第1项之用以处理以及测试一半导体元件的方法,其中该绝缘层系为该接垫表面之金属氧化物。8.一种将一半导体元件电性连接至一基板或是导线架的方法,其中该半导体元件包含复数个接垫设于其上以及一第一金属凸块形成于每一接垫上并且直接接触该接垫,该方法包含执行一打线制程以形成一第二金属凸块将该第一金属凸块包含于其中以及一连接线连接于该第二金属凸块与一基板或是导线架之间。图式简单说明:第1a-1b图:以剖视图图示根据一习用技术测试一半导体元件的主要步骤;第2a-2c图:以剖视图图示根据本发明一实施例之方法处理并且测试一半导体元件的主要步骤;第3a-3d图:以剖视图图示根据本发明一实施例之将一具凸块半导体元件打线连接至一基板或是导线架的方法的主要步骤;以及第4a-4d图:以剖视图图示根据本发明另一实施例之将一具凸块半导体元件打线连接至一基板或是导线架的方法的主要步骤。 |
