| 主权项 |
1.一种清洁用气体,其系用以脱除在真空处理装置中产生的沈积物,该真空处理装置系制造Ti,W,Ta,Ru及Ir中至少一者的薄膜,包括Ti,W,Ta,Ru及Ir中之一者的化合物,及包括Ti,W,Ta,Ru及Ir中之一者的合金,该清洁用气体包括:HF气体;和含氧气体。2.如申请专利范围第1项之清洁用气体,其中该HF的浓度系大于或等于1体积%,且该含氧气体的浓度为0.5至99体积%。3.如申请专利范围第1项之清洁用气体,其中该含氧气体包括至少一种下列气体:O2气体,O3气体,N2O气体,NO气体,CO气体和CO2气体。4.如申请专利范围第1项之清洁用气体,其中该包括Ti,W,Ta,Ru和Ir中之一者的化合物包括TiN,TiW,TiON,WN和TaN。5.一种脱除在真空处理装置中产生的沈积物质之方法,该真空处理装置系用于形成Ti,W,Ta,Ru及Ir中之一者的薄膜,包括Ti,W,Ta,Ru及Ir中之一者的化合物及包括Ti,W,Ta,Ru和Ir中之一者的合金,该方法包括下列步骤:将清洁用气体流入该真空处理装置之内。6.如申请专利范围第5项之方法,其更包括将流入该真空处理装置内的该清洁用气体抽空之步骤。7.如申请专利范围第5项之方法,其中该清洁用气体包括HF气体与含氧气体。8.如申请专利范围第7项之方法,其中该HF气体的浓度系大于或等于1体积%,且该含氧气体的浓度为0.5至99体积%。9.如申请专利范围第7项之方法,其中该含氧气体包括至少一种下列气体:O2气体,O3气体,N2O气体,NO气体,CO气体与CO2气体。10.如申请专利范围第5项之方法,其中该真空处理装置中的温度在实施该清洁操作时系保持在450至600℃范围内。11.如申请专利范围第5项之方法,其中该真空处理装置包括衆多连接到一共同输送室的真空处理装置,该衆多真空处理装置与该共同输送室系经由流入该清洁用气体而选择地清洁。12.如申请专利范围第5项之方法,其中该真空处理装置包括衆多连接到一共同输送室之真空处理装置,该衆多真空处理装置与该共同输送室系经由流入该清洁用气体而同时清洁的。图式简单说明:图1为显示出团簇工具型(Cluster tool type)薄膜制造装置之平面图,其为本发明清洁方法所适用之对象;及图2为显示出诸薄膜制造装置中之一的概示图。 |
