发明名称 降低图案化光阻层之表面缺陷的方法
摘要 揭示一种降低基材表面上图案化光阻层之表面缺陷的方法,其藉由包含这些阶段之步骤而获得:(a)在基材表面上形成正性化学放大光阻组成物之光阻层,(b)使光阻层依图案暴露于光化射线下,(c)对依图案曝光之光阻层施以后段曝光烘烤处理及(d)显影处理。该改良可以藉着在后曝光烘烤处理之后使光阻层与酸硷度为3.5或更低之酸性水溶液接触1至90秒而完成。该包含于酸性水溶液之酸宜为芳香族磺酸或,更佳者,二苯基醚磺酸例如十二烷基(二苯基醚)二磺酸。
申请公布号 TW594380 申请公布日期 2004.06.21
申请号 TW090102256 申请日期 2001.02.02
申请人 东京应化工业股份有限公司 发明人 新田和行;中緖卓;前盛谕;松海达也
分类号 G03F7/00 主分类号 G03F7/00
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种在基材表面上制备图案化光阻层之方法,包含的步骤为(a)在基材表面上形成一层正性化学放大光阻组成物,(b)使光阻层依图案暴露于光化射线下,(c)以依图案曝光之光阻层进行后曝光烘烤处理及(d)以后曝光烘烤处理之后的光阻层利用硷性显影剂水溶液进行显影处理,其特征在于使该光阻层在步骤(c)后曝光烘烤处理之后,在步骤(d)显影处理之前,与内含酸之酸性水溶液接触。2.如申请专利范围第1项之方法,其中酸性水溶液之酸硷度为3.5或更低。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该酸在酸性水溶液中之浓度分布于0.01至50质量%之间。4.如申请专利范围第1项之方法,其中包含于酸性水溶液中的酸系一种芳香族磺酸。5.如申请专利范围第4项之方法,其中包含于该酸性水溶液中的芳香族磺酸系一种分子中含两个苯核或环结构之化合物。6.如申请专利范围第5项之方法,其中包含于该酸性水溶液中的芳香族磺酸系由以下通式表示的一种二苯醚磺酸其中R1.R2.R3及R4系,各别独立的,氢原子或含5至20个碳原子之烷基但是R1.R2.R3及R4中至少一个系含5至20个碳原子之烷基,下标p及q系,各别独立的,0.1或2但是p+q系正数。7.如申请专利范围第6项之方法,其中该二苯醚磺酸系十二烷基(二苯醚)二磺酸。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该光阻层系藉着喷射溶液于光阻层而与酸性水溶液接触。9.如申请专利范围第1项之方法,其中该光阻层系于室温下与酸性水溶液保持接触达一段长达1至90秒的时间。10.如申请专利范围第1项之方法,其中该酸性水溶液包含表面活性剂。11.如申请专利范围第10项之方法,其中该表面活性剂系N-辛基-2-啶酮。12.如申请专利范围第1项之方法,其中包含于该酸性水溶液中的酸之分子量为200以上。13.如申请专利范围第1项之方法,其中包含于该酸性水溶液中的酸系一种含氟化烷基磺酸之有机酸。
地址 日本