发明名称 具有复数滙流排的多储存组半导体记体装置及降低滙流排负载的方法
摘要 一种具有复数汇流排的多储存组半导体记忆装置,主要是由复数汇流排、复数储存组、一接收装置所构成。在这种半导体记忆装置中,每个储存组分别连接上述汇流排之一,藉以储存记忆体资料。而接收装置则根据欲存取的储存组以接收对应汇流排的记忆体资料。另外,每个储存组分别具有复数资料感应放大器,用以将储存的记忆体资料输出至对应的汇流排上。而接收装置则可由多工器或选择器完成。
申请公布号 TW594779 申请公布日期 2004.06.21
申请号 TW088104221 申请日期 1999.03.18
申请人 世界先进积体电路股份有限公司 发明人 陈志成;吕志宏
分类号 G11C7/00 主分类号 G11C7/00
代理机构 代理人 洪澄文 台北市大安区信义路四段二七九号三楼
主权项 1.一种具有复数滙流排的多储存组半导体记忆装置,包括:复数滙流排;复数储存组,分别连接该些滙流排之一,用以储存记忆体资料;以及一接收装置,根据欲存取的储存组以接收对应滙流排的记忆体资料。2.如申请专利范围第1项所述具有复数滙流排的多储存组半导体记忆装置,其中,该些储存组分别具有复数资料感应放大器,用以将储存的记忆体资料输出至该些滙流排。3.如申请专利范围第1项所述具有复数滙流排的多储存组半导体记忆装置,其中,该接收装置系一多工器。4.如申请专利范围第1项所述具有复数滙流排的多储存组半导体记忆装置,其中,该接收装置系一选择器。5.一种在多储存组半导体记忆装置中降低滙流排负载的方法,其步骤包括:提供复数滙流排;将该半导体记忆装置的所有储存组分别连接该些滙流排之一,用以储存记忆体资料;以及根据欲存取的储存组以接收对应滙流排的记忆体资料。图式简单说明:第1图系本发明具有复数滙流排的多储存组半导体记忆装置的示意图;以及第2图系本发明在多储存组半导体记忆装置中降低滙流排负载的方法。
地址 新竹市新竹科学工业园区园区三路一二三号