| 主权项 |
1.一种式1之(甲基)丙烯酸2-烷基-2-樟脑酯化合物,其中R是一甲基或乙基,且R*为氢或一甲基基团。2.一种制备申请专利范围第1项之(甲基)丙烯酸2-烷基-2-樟脑酯之式1化合物的方法,其至少包含以下步骤:a)让樟脑与一烷基格那试剂(alkyl grinard reagent)或烷基锂试剂(alkyl lithium reagent)反应,来制备2-烷基-2-樟脑醇;及b)让前述制备之2-烷基-2-樟脑醇与(甲基)丙烯醯氯反应。3.一种式2之2-烷基-2-樟脑基-5-正莰烯-2-羧酸酯化合物,其中R是一甲基或乙基,且R*为氢或一甲基基团。4.一种制备申请专利范围第3项之2-烷基-2-樟脑基-5-正莰烯-2-羧酸酯之式2化合物的方法,其系藉由让申请专利范围第1项之(甲基)丙烯酸2-烷基-2-樟脑酯之式1化合物与环戊二烯进行迪氏-亚达反应(Diels-Alder)所制备而成的。5.一种式3之光敏共聚物,其中R是一甲基或乙基,R*为氢或一甲基基团,且n系介于25至30间的整数。6.一种制备申请专利范围第5项之式3光敏共聚物的方法,其系包含让申请专利范围第3项之式2化合物与顺丁烯二酸酐聚合之步骤。7.一种式4之光敏三聚物,其中R是一甲基或乙基;R*为氢或一甲基基团;R'是氢、一烷基或一羟基烷基;R"是氢或一甲基基团;且m与n分别满足m+n=1,0.1<m<0.9且0.1<n<0.9之条件。8.一种制备申请专利范围第7项之式4光敏三聚物的方法,其系包含让申请专利范围第1项之式1化合物与顺丁烯二酸酐及下列式6之正莰烯化合物聚合之步骤:其中R'是氢、一烷基或一羟基烷基;且R"是氢或一甲基基团。9.一种式5之光敏三聚物,其中R是一甲基或乙基;R*为氢或一甲基基团;R'是氢、一烷基或一羟基烷基;R"是氢或一甲基基团;且m与n分别满足m+n=1,0.1<m<0.9且0.1<n<0.9之条件。10.一种制备申请专利范围第9项之式5光敏三聚物的方法,其系包含让申请专利范围第3项之式2化合物与顺丁烯二酸酐及下列式7之丙烯酸酯化合物聚合之步骤:其中R'是氢、一烷基或一羟基烷基;且R"是氢或一甲基基团。11.一种供ArF使用之化学放大正光阻组合物,其至少包含一或多种选自由式3之光敏共聚物、式4之光敏三聚物及式5之光敏三聚物所组成之聚合物中:其中R是一甲基或乙基;R*为氢或一甲基基团;R'是氢、一烷基或一羟基烷基;R"是氢或一甲基基团;且m与n分别满足m+n=1,0.1<m<0.9且0.1<n<0.9之条件。12.如申请专利范围第11项之化学放大正光组组合物,其特征是该聚合物之含量占总组成物重量之1%至30%间(重量百分比)。13.如申请专利范围第11项之化学放大正光组组合物,其特征是该光阻组合物更包含一光酸产生剂,该光酸产生剂之含量约为总聚合物重量之0.5%至10%间(重量百分比)。14.如申请专利范围第13项之化学放大正光组组合物,其特征是该光酸产生剂系选自由盐、有机磺酸、或其之混合物所组成之群组中。15.如申请专利范围第11项之化学放大正光组组合物,其特征是该光阻组合物更包含一有机硷,该有机硷系选自三乙胺、三异丁胺、三异辛胺、二乙醇胺、三乙醇胺或其之混合物;且该有机硷之用量为总聚合物重量之0.01%至2.00%间(重量百分比)。图式简单说明:第1图显示本发明实施例7的光阻图案。第2图显示一前技COMA型光阻的图案结果。第3图显示本发明实施例5至7之氧化物的抗蚀刻性结果。第4图显示前技聚COMA型光阻的抗蚀刻性结果。 |
