| 主权项 |
1.一种附有ITO被覆膜之基板,其系包含:玻璃基板;彩色滤光片,其系成膜于前述玻璃基板表面者;有机保护膜,其系成膜于前述彩色滤光片表面者;中间层,其系成膜于前述有机保护膜表面者;及ITO被覆膜,其系成膜于前述中间层表面者,其特征在于前述中间层系包含:第1中间层,其系于前述有机保护膜表面,藉由使用Ar为导入气体之高频溅镀法成膜,且包含难溶于硷之金属氧化物者;及第2中间层,其系成膜于前述第1中间层表面,且包含难溶于硷之金属氧化物或金属氮化物者。2.如申请专利范围第1项之附有ITO被覆膜之基板,其中前述第1中间层之金属氧化物系SiO2。3.如申请专利范围第1项之附有ITO被覆膜之基板,其中前述第1中间层之金属氧化物系Ta2O5。4.如申请专利范围第1至第3项中任一项之附有ITO被覆膜之基板,其中前述第2中间层之金属氧化物系SiOx。5.如申请专利范围第1至第3项中任一项之附有ITO被覆膜之基板,其中前述第二中间层之金属氧化物系Ta2O5。6.如申请专利范围第1至第3项中任一项之附有ITO被覆膜之基板,其中前述第2中间层之金属氧化物系SiNx。7.一种附有ITO被覆膜之基板,其系包含:玻璃基板;彩色滤光片,其系成膜于前述玻璃基板表面者;有机保护膜,其系成膜于前述彩色滤光片表面者;中间层,其系成膜于前述有机保护膜表面者;及ITO被覆膜,其系成膜于前述中间层表面者,其特征在于前述中间层系于前述有机保护膜之表面,藉由使用Ar为导入气体之高频溅镀法成膜,且包含难溶于硷之金属氧化物,其中前述中间层之金属氧化物系SiO2或Ta2O5。8.一种附有ITO被覆膜之基板之制造方法,其系包含:玻璃基板;彩色滤光片成膜工序,其系将彩色滤光片成膜于该玻璃基板之表面者;有机保护膜成膜工序,其系将有机保护膜成膜于前述彩色滤光片之表面者;中间层成膜工序,其系将中间层成膜于前述有机保护膜表面者;及ITO被覆膜成膜工序,其系将ITO被覆膜成膜于前述中间层表面者,其特征在于前述中间层成膜工序系包含:第1中间层成膜工序,其系于前述有机保护膜表面,藉由使用Ar为导入气体之高频溅镀法成膜第一中间层,该第1中间层系包含难溶于硷之金属氧化物;及第2中间层成膜工序,其系于前述第一中间层之表面,藉由使用其他之高频溅镀法成膜第2中间层,该第2中间层系包含难溶于硷之金属氧化物或金属氮化物。9.如申请专利范围第8项记载之制造方法,其中前述高频溅镀法系,使用SiO2为标靶。10.如申请专利范围第8项记载之制造方法,其中前述高频溅镀法系,使用Ta2O5为标靶。11.如申请专利范围第8至第10项中任一项所记载之制造方法,其中前述其他之高频溅镀法系,使用Si为标靶,以N2为导入气体之反应性溅镀法。12.如申请专利范围第8至第10项中任一项所记载之制造方法,其中前述其他之高频溅镀法系,使用Si为标靶,以O2为导入气体之反应性溅镀法。13.如申请专利范围第8至第10项中任一项所记载之制造方法,其中前述其他之高频溅镀法系,使用Ta2O5为标靶,以Ar为导入气体。14.一种附有ITO被覆膜之基板之制造方法,其系包含:彩色滤光片成膜工序,其系将彩色滤光片成膜于玻璃基板之表面者;有机保护膜成膜工序,其系将有机保护膜成膜于前述彩色滤光片之表面者;中间层成膜工序,其系将中间层成膜于前述有机保护膜表面者;及ITO被覆膜成膜工序,其系将ITO被覆膜成膜于前述中间层表面者,其特征在于前述中间层成膜工序系于前述有机保护膜之表面,藉由使用Ar为导入气体之高频溅镀法成膜中间层,该中间层系包含难溶于硷之金属氧化物,其中前述高频溅镀法系,使用SiO2或Ta2O5为标靶。图式简单说明:图1系本发明实施形态之附有ITO被覆膜之基板的剖面图。图2系图1之附有ITO被覆膜之基板100之制造方法的流程图。图3A至图3F系图2之程序P105之电极图案的图案形成方法之说明图,及各工程之附有ITO被覆膜基板100的剖面图。图4A至图4C系表示图1之附有ITO被覆膜之基板100的耐硷性低下原因之说明图;图4A系表示于ITO被覆膜105与中间层104的介面附近,中间层104溶解于硷之情形;图4B系表示中间层104与有机保护膜103的介面附近,有机保护膜103溶解于硷之情形;图4C系表示中间层104与有机保护膜103的介面附近,有机保护膜103溶解于硷之情形。图5系,本发明实施形态之附有ITO被覆膜之基板100的变形例的剖面图。 |
