| 主权项 |
1.一种快闪记忆体单元的程式化方法,主要系藉由施加一特定电压于一闸极与一汲极,并将一源极与一基板维持于接地之电位,包含以下步骤:以两个或更多步骤,施加不同之特定电压于闸极与汲极端子两者之一,同时施加一特定电压于闸极与汲极端子之另一者;其中,所述以两个或更多步骤施加不同之特定电压于闸极与汲极端子两者之一之周期时间与所述同时施加一特定电压于闸极与汲极端子之另一者系为相同者。2.如申请专利范围第1项所述之一种快闪记忆体单元的程式化方法,其中该方法之执行是藉由施加第一个电压于闸极,同时施加第二个电压于汲极,且经过一特定时间后,施加第三个特定电压于闸极,其中,所述施加第一个及第三个电压于闸极之周期时间与所述同时施加第二个电压于汲极之周期时间系为相同者。3.如申请专利范围第1项所述之一种快闪记忆体单元的程式化方法,其中该方法之执行是藉由施加一零电压于闸极,同时施加该第二个电压于汲极,且经过一特定时间后,施加该第三个特定电压于闸极,其中,所述施加零电压及第三个特定电压于闸极之周期时间与所述同时施加第二个电压于汲极之周期时间系为相同者。4.如申请专利范围第1项所述之一种快闪记忆体单元的程式化方法,其中该方法之执行是藉由施加一第一特定电压于汲极,同时施加该一第二特定电压于闸极,且经过一特定时间后,施加该第三特定电压于汲极,其中,所述施加第一特定电压及第三特定电压于汲极之周期时间与所述同时施加第二个电压于闸极之周期时间系为相同者。图式简单说明:图1为一通用堆叠闸极式快闪记忆单元之横剖面图;图2表示在将习知的快闪记忆单元程式化时,所施加于闸极与汲极端子的电压之波形;图3为在将习知的快闪记忆单元程式化时,汲极电流如何随着汲极电压变动之特性图;图4为在将习知的快闪记忆单元程式化时,汲极电压如何随着汲极电流变动之特性图;图5为程式化电流在不同的闸极电压下之变化图,用以解释本发明的快闪记忆单元程式化方法之原理;图6表示依本发明在将快闪记忆单元程式化时,所施加于闸极与汲极的电压之波形;图7为程式化电流在不同门槛电压下之变化图;图8表示依本发明之另一具体实施例将快闪记忆单元程式化时,所施加于闸极与汲极的电压之波形;以及图9表示依本发明之再另一具体实施例将快闪记忆单元程式化时,所施加于闸极与汲极的电压之波形。 |
