| 主权项 |
1.一种雷射装置,藉着激发封闭在一容室中的气体 而发射一雷射射束,该雷射装置包含: 一气体特性侦测机构,用来侦测该容室中的气体的 特性;及 一计算机构,用来根据该气体特性侦测机构的侦测 结果计算该雷射射束的震荡波长及/或波长频谱带 宽。2.如申请专利范围第1项所述的雷射装置,其中 该气体特性侦测机构为用来侦测该容室中的气体 的压力的一压力感测器。3.如申请专利范围第1项 所述的雷射装置,其中该气体特性侦测机构为用来 侦测该容器中的气体的温度的一温度感测器。4. 如申请专利范围第1项所述的雷射装置,另外包含 控制器,用来决定该雷射射束的震荡波长及/或波 长频谱带宽是否落在一可容许范围内,以及用来产 生可使该雷射射束的震荡波长及/或波长频谱带宽 落在该可容许范围内的校正资讯。5.如申请专利 范围第1项所述的雷射装置,其中该雷射射束于大 约157nm或更短的波长震荡。6.一种曝光装置,使用 一雷射射束来将一掩模上的一图型曝光在一物体 上,该曝光装置包含: 一雷射装置,用来激发气体以发射该雷射射束,该 雷射装置包含用来侦测封闭在一容室中的该气体 的特性的一气体特性侦测机构;及 一校正机构,用来根据该气体特性侦测机构的侦测 结果校正曝光。7.如申请专利范围第6项所述的曝 光装置,另外包含一计算机构,用来根据该气体特 性侦测机构的侦测结果计算该雷射射束的震荡波 长及/或波长频谱带宽。8.如申请专利范围第7项所 述的曝光装置,其中该计算机构被设置在该雷射装 置中。9.如申请专利范围第7项所述的曝光装置,其 中该计算机构被设置在该雷射装置的外部。10.一 种曝光方法,使用藉着激发封闭在一容室中的气体 而产生的一雷射射束来将一掩模上的一图型曝光 在一物体上,该曝光方法包含以下步骤: 侦测该容室中的气体的特性;及 根据该侦测步骤的侦测结果来决定曝光是否要继 续或停止。11.如申请专利范围第10项所述的曝光 方法,其中该侦测步骤包含从该特性计算该雷射射 束的震荡波长及/或波长频谱带宽的步骤。12.如申 请专利范围第10项所述的曝光方法,其中该决定步 骤包含比较该侦测步骤的侦测结果与一可容许范 围的步骤。13.如申请专利范围第10项所述的曝光 方法,另外包含当该决定步骤决定曝光要停止时改 变该容室中的气体的该特性的步骤。14.如申请专 利范围第13项所述的曝光方法,其中该气体特性改 变步骤改变该容室中的气体的压力及/或温度。15. 一种曝光方法,使用藉着激发封闭在一容室中的气 体而产生的一雷射射束来将一掩模上的一图型曝 光在一物体上,该曝光方法包含以下步骤: 侦测该容室中的气体的特性; 从由该侦测步骤所测得的该特性计算该雷射射束 的震荡波长及/或波长频谱带宽;及 根据计算所得的震荡波长校正曝光。16.如申请专 利范围第15项所述的曝光方法,其中该校正步骤校 正将该掩模上的该图型投影在该物体上的一投影 光学系统的光学特性。17.如申请专利范围第15项 所述的曝光方法,其中该校正步骤将该物体沿着一 光学轴线移动。18.一种半导体装置制造方法,包含 以下步骤: 藉着使用一曝光装置来将一掩模上的一图型曝光 在一物体上,该曝光装置系使用一雷射射束且包含 一雷射装置,其激发气体以发射该雷射射束且其包 含用来侦测封闭在一容室中的气体的特性的一气 体特性侦测机构;及一校正机构,用来根据该气体 特性侦测机构的侦测结果校正曝光;及 对经曝光的物体实施一预定制程。19.一种雷射装 置,藉着激发封闭在一容室中的气体而发射一雷射 射束,该雷射装置包含: 一气体特性侦测机构,用来侦测该容室中的气体的 特性;及 一决定机构,用来根据该气体特性侦测机构的侦测 结果决定该雷射射束的震荡波长及/或波长频谱带 宽。图式简单说明: 图1为成为本发明的一方面的曝光装置的方块图。 图2为成为本发明的一方面的雷射装置的方块图。 图3为用来说明在改变图2所示的雷射装置的容室 中的气体压力及气体温度时如何以实验方式获得 雷射射束的震荡波长及波长频谱带宽的流程图。 图4显示图2所示的雷射装置的气体特性与雷射射 束的震荡波长之间的关系。 图5显示图2所示的雷射装置的气体特性与雷射射 束的波长频谱带宽之间的关系。 图6为用来说明当从图2所示的雷射装置震荡的雷 射射束的震荡波长或波长频谱带宽成为在可容许 范围之外时的处理过程的流程图。 图7为用来说明使用本发明的曝光装置的装置制造 方法的流程图。 图8为图7所示的步骤4的详细流程图。 |
