| 主权项 |
1.一种罩幕的制造方法,属于包含具复数贯通穴,将 第1开口与大于该第1开口的第2开口相连通所成的 复数贯通穴分别形成在基板的罩幕的制造方法,其 特征为: 该方法是包含 (a)在该基板的第1而能对应于该第1开口地形成耐 蚀刻膜,而在与该基板的该第1面相反侧的第2面,能 连续地露出形成2以上的该第2开口的领域地,露出 该复数贯通孔的形成领域; (b)在各该贯通穴的形成领域,形成小于各该贯通穴 的贯通孔;及 (c)从该基板的该第1及第2面的双方,进行具结晶的 面方位依存性的蚀刻; 该基板是单晶矽基板; 该基板的该第1及第2面是米勒指数{100}面; 该贯通穴的各该内壁面,是{111}面; 该蚀刻的该结晶的面方位依存性,是对于{111}面的 蚀刻速度,比对于此以外的米勒指数所表示的面的 蚀刻速度更慢的性质。2.如申请专利范围第1项所 述的罩幕的制造方法,其中,适用雷射加工,微喷砂 加工,时间调变电浆蚀刻或机械加工的任一种来形 成小于该贯通穴时该贯通孔。3.如申请专利范围 第1项所述的罩幕的制造方法,其中使用四甲基氢 氧化铵以10重量%以上30重量%以下的比率所溶解的 溶液进行具该结晶的面方位依存性的蚀刻。4.如 申请专利范围第1项所述的罩幕的制造方法,其中, 在该(a)工序,该第2面也避开该复数贯通穴的形成 领域形成该耐蚀刻膜。5.如申请专利范围第1项至 第4项中任一项所述的罩幕的制造方法,其中,在进 行该(b)工序之后进行该(c)工序,而在该(c)工序,藉 由是结晶的面方位依存性的该蚀刻来扩大小于该 贯通穴时贯通孔。6.如申请专利范围第1项至第4项 中任一项所述的罩幕的制造方法,其中, 在该(b)工序的前与后进行该(c)工序; 在该(b)工序前,从该基板的该第1及第2面的双方,至 少在该第1面一直到蚀刻停止为止进行具结晶的面 方位依存性的该蚀刻。 在该(b)工序后,藉由具结晶的面方位依存性的该蚀 刻,扩大小于该贯通穴时该贯通孔。7.如申请专利 范围第1项至第4项中任一项所述的罩幕的制造方 法,其中来自该基板的耐蚀刻膜的所有露出面成为 该{111}面之后才终了该(c)工序的该(c)工序的该蚀 刻。8.一种罩幕,其特征为: 具有形成复数贯通穴的基板; 各该贯通穴是藉由倾斜的内壁面所形成,连通有第 1开口与大于该第1开口的第2开口所形成; 在形成有该第2开口的一边,各该贯通穴,是仅藉由 该内壁面,与相邻接的至少一个该贯通穴区划所形 成; 该基板是单晶矽基板; 各该贯通穴的内壁面,是米勒指数的{111}面。9.一 种电发光装置的制造方法,其特征为:包含具有形 成复数贯通穴时基板;各该贯通穴是藉由倾斜的内 壁面所形成,连通有第1开口与大于该第1开口的第2 开口所形成;在形成有该第2开口的一边,各该贯通 穴,使用是仅藉由该内壁面,与相邻接的至少一个 该贯通穴区划所形成的罩幕,将发光材料予以成膜 。图式简单说明: 第1A图及第1B图是表示本发明第一实施形态的罩幕 的图式。 第2图是表示本发明的第一实施形态的罩幕的局部 放大图。 第3A图至第3E图是表示说明本发明的第一实施形态 的罩幕的制造方法的图式。 第4A图及第4B图是表示说明本发明的第二实施形态 的罩幕的制造方法的图式。 第5图是表示说明本发明的第三实施形态的EL装置 的制造方法的图式。 第6A图至第6C图是表示说明发光材料的成膜方法的 图式。 第7图是表示本发明的第三实施形态的EL装置的图 式。 第8图是表示本发明的实施形态的电子机器的图式 。 第9图是表示本发明的实施形态的电子机器的图式 。 |
