发明名称 具良好溶液溶解度及安定性之矽酮树脂组合物
摘要 本发明系关于具良好溶液溶解度之可溶性矽酮树脂组合物及其制备方法,纳孔性矽酮树脂和涂料及其制造方法。该矽酮树脂包括一种在(D)水。(E)水解催化剂及(F)反应产物所用之有机溶剂存在下之下列成份之反应产物:(A)15-70莫耳%由式Si(OR1)4描述之四烷氧基矽烷,其中各R1为独立经选择之含1至6个碳原子之烷基;(B)12-60莫耳%由式HSiX3描述之氢矽烷,其中各X为独立经选择之可水解取代基;(C)15至70莫耳%由式R2Si(OR3)3描述之有机三烷氧基矽烷,其中R2为包含8至24个碳原子之烃基或包含8至24个碳原子烃链之经取代烃基,各R3为独立经选择包含1至6碳原子之烷基。
申请公布号 TW593438 申请公布日期 2004.06.21
申请号 TW089122439 申请日期 2000.11.15
申请人 道康宁公司 发明人 宾晓 钟;鲁赛尔 凯斯 金;奇哈 棕;锡鸿 章
分类号 C08G77/00;C09D183/05 主分类号 C08G77/00
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种矽酮树脂,其包括一种在(D)水、(E)水解催化 剂及(F)反应产物所用之有机溶剂存在下之下列混 合物之反应产物:(A)15-70莫耳%由式Si(OR1)4描述之四 烷氧基矽烷,其中各R1为独立经选择之含1至6个碳 原子之烷基;(B)12-60莫耳%由式HSiX3描述之氢矽烷,其 中各X为独立经选择之可水解基团;(C)15至70莫耳%由 式R2Si(OR3)3描述之有机三烷氧基矽烷,其中R2为包含 8至24个碳原子之烃基或包含8至24个碳原子烃链之 经取代烃基,各R3为独立经选择包含1至6碳原子之 烷基,且各莫耳百分数系以组分(A)、(B)和(C)之总莫 耳数为基础。2.根据申请专利范围第1项之矽酮树 脂,其中该反应产物具有100,000至400,000之重量平均 分子量。3.一种制造矽酮树脂之方法,其包括形成 一种混合物,且使该混合物在(D)水、(E)水解催化剂 及(F)反应产物所用之有机溶剂存在下反应,该混合 物包括(A)15-70莫耳%由式Si(OR1)4描述之四烷氧基矽 烷,其中各R1为独立经选择含1至6个碳原子之烷基,( B)12-60莫耳%由式HSiX3描述之氢矽烷,其中各X为独立 经选择之可水解基团,(C)15至70莫耳%由式R2Si(OR3)3描 述之有机三烷氧基矽烷,其中R2为含8至24个碳原子 之烃基或含8至24个碳原子烃链之经取代烃基,各R3 为独立经选择含1至6碳原子之烷基。4.根据申请专 利范围第3项之方法,其中该混合物每1莫耳组分(A)+ (B)+(C)包含1.4至6莫耳水。5.根据申请专利范围第3 项之方法,其中该混合物每莫耳组分(A)+(B)+(C)包含0 .02至0.5莫耳水解催化剂6.根据申请专利范围第3项 之方法,其中该水解催化剂为氯化氢。7.根据申请 专利范围第3项之方法,其中该混合物包含70至95重 量%反应产物所用之有机溶剂。8.根据申请专利范 围第3项之方法,其中将该含矽酮树脂之反应产物 中和,将该矽酮树脂溶于有机溶剂及加入0.05至0.4 重量%水。9.根据申请专利范围第3项之方法,其中 将该含溶于有机溶剂之矽酮树脂之反应产物在选 用之缩合催化剂存在下经足够温度加热,以使该矽 酮缩合至100,000至400,000之重量平均分子量。10.一 种基材上制造纳孔矽酮树脂涂层之方法,其包括步 骤(a)将包含申请专利范围第1或2项之矽酮树脂之 矽酮组合物涂至基材上,及(b)以350℃至600℃温度加 热经涂覆之基材,以固化矽酮树脂和自矽原子热解 R2基团,由之在基材上形成纳孔树脂涂层。11.根据 申请专利范围第10项之方法,其中该加热步骤(b)系 作为双步骤方法进行,在第一步骤将该经涂覆基材 以20℃至350℃加热,在第二步骤则以大于350℃至600 ℃加热。12.根据申请专利范围第10项之方法,其中 该经涂覆基材系于惰性气氛中加热。13.根据申请 专利范围第11项之方法,其中该于第一步骤和第二 步骤之加热系在惰性气氛下进行。14.一种制造纳 孔矽酮树脂之方法,其包括将包含申请专利范围第 1或2项之矽酮树脂之矽酮树脂组合物以20℃至350℃ 温度加热,以固化矽酮树脂及以350℃至600℃温度加 热以造成R2基团之热解,由之形成纳孔矽酮树脂。 15.一种藉由申请专利范围第10至13项中任一项之方 法获得之纳孔矽酮树脂涂层。16.根据申请专利范 围第15项之纳孔矽酮树脂涂层,其具有小于20纳米 之孔径。17.根据申请专利范围第15或16项之纳孔矽 酮树脂涂层,其具有小于2之介电常数。18.一种藉 由申请专利范围第14项之方法获得之纳孔矽酮树 脂。19.根据申请专利范围第18项之纳孔矽酮树脂, 其具有小于20纳米之孔径。
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