感光二极体之自我对准背面电极的制造方法

摘要

一种P+型非晶矽(P+AmorphousSilicon；P+a–Si)／本徵(Intrinsic)非晶矽／N+型非晶矽薄膜感光二极体(PINThin–filmPhotodiode)之自我对准背面电极(RearElectrode)的制造方法，其系在上层金属上形成第一N+型非晶矽层后，定义第一N+型非晶矽层及其下之上层金属。再形成第二N+型非晶矽层包覆第一N+型非晶矽层及上层金属，并进行回蚀刻步骤，藉以使上层金属为第一N+型非晶矽层与第二N+型非晶矽层所包覆，而形成自我对准背面电极。