固态影像装置

摘要

构成由一遮蔽层16所覆盖之遮蔽像素的晶体管之源极或汲极14与光电二极管13系形成于一位于一低掺杂基板11上的高掺杂阱20之一表面上。因此，形成一从低掺杂基板11朝高掺杂阱20延伸的电位障壁△V。即使强点光源入射于某些光接收像素上且部分光17到达低掺杂基板11的一中性区域，则在此处受到光电转换的部分扩散电荷18亦无法侵入高掺杂阱20。因此，该等遮蔽像素之一输出信号位准不会发生改变，并可保持一黑色参考位准。