| 发明名称 | 在微米级条形台面上制作二氧化硅介质膜的方法 | ||
| 摘要 | 一种在微米级条形台面上制作二氧化硅介质膜的方法，其包括如下步骤：步骤1：首先，在微米级条形台面或其他形状的台面的样品上匀胶；步骤2：通过光刻技术实现在台面的顶面上胶膜窗口；步骤3：淀积介质膜；步骤4：采用剥离技术，完成微米级条形台面的顶面的介质膜制做；本发明可解决半导体激光器制造过程中，在窄条形台面的顶面上形成二氧化硅介质膜，使其能够起到再生长过程中的保护作用。 | ||
| 申请公布号 | CN1154163C | 申请公布日期 | 2004.06.16 |
| 申请号 | CN01110047.8 | 申请日期 | 2001.03.26 |
| 申请人 | 北京福创光电子股份有限公司 | 发明人 | 王宝军;董杰;王圩 |
| 分类号 | H01L21/314 | 主分类号 | H01L21/314 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种在微米级条形台面上制作二氧化硅介质膜的方法，其特征在于，其包括如下步骤：步骤1：首先，在微米级条形台面或其他形状的台面的样品上匀胶；步骤2：通过光刻技术实现在台面的顶面上胶膜窗口；步骤3：淀积介质膜；步骤4：采用剥离技术，完成微米级条形台面的顶面的介质膜制做。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||