| 发明名称 | 双闸极介电层及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种双闸极介电层，其制造方法为，首先，提供一半导体基底，半导体基底具有一第一区块及一第二区块，在半导体基底上形成一第一高介电常数材料介电层并进行一回火步骤以在表面上形成一致密层；接着，在第一高介电常数材料层上形成一第二高介电常数材料层并使密层为蚀刻停止层，蚀刻形成于第一区块上方的第二高介电常数材料层至露出第一高介电常数材料层为止。 | ||
| 申请公布号 | CN1505107A | 申请公布日期 | 2004.06.16 |
| 申请号 | CN02152774.1 | 申请日期 | 2002.11.27 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 侯拓宏;王铭芳;陈启群;杨智伟;姚亮吉;陈世昌 |
| 分类号 | H01L21/283;H01L21/324;H01L21/316 | 主分类号 | H01L21/283 |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 楼仙英;陈红 |
| 主权项 | 1.一种双闸极介电层的制造方法，其特征在于，它包括下列步骤：提供一半导体基底，该半导体基底具有一第一区块及一第二区块；在该半导体基底上形成一第一高介电常数材料介电层；对该第一高介电常数材料介电层的表面进行一回火步骤，以形成一致密层；在该第一高介电常数材料层上形成一第二高介电常数材料层；及以该致密层作为蚀刻停止层，蚀刻形成于该第一区块上方的该第二高介电常数材料层直至露出该第一高介电常数材料层为止。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹 | ||