| 发明名称 | 等离子体蚀刻系统 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一等离子体体反应器设备(1)，其改善了蚀刻均匀性并提高了刻蚀的产量。通过采用新型的气体输送机构(9a)和绝热的晶片吸盘(42)实现了更好的蚀刻均匀性。真空绝热的吸盘(42)还使得能量消耗低、及产量高。 | ||
| 申请公布号 | CN1154157C | 申请公布日期 | 2004.06.16 |
| 申请号 | CN96194041.7 | 申请日期 | 1996.03.28 |
| 申请人 | 泰格尔公司 | 发明人 | 弗拉蒂米尔·E·莱博维克;马丁·L·朱克 |
| 分类号 | H01L21/27;H01L21/30;H01L21/31;H01L21/205 | 主分类号 | H01L21/27 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 马莹 |
| 主权项 | 1.一种处理半导体晶片的等离子体反应器，包括：一个等离子体反应容器，所述容器具有一顶部组件；一个用来支撑将被处理的晶片的夹盘；一个通过环形空隙将气体导入所述容器的装置；一相邻于该环形空隙的环形周边法兰，该法兰被引进到所述容器中，以便给所述容器提供一薄气层；所述周边法兰与所述顶部组件相邻，以便将气体引入所述周边法兰和所述顶部组件之间的所述容器；并且其中所述法兰没有遍布用于接收一晶片的所述夹盘的区域。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||