等离子体刻蚀有机抗反射涂层的方法

摘要

本发明公开了一种其中有机抗反射涂层被无O₂含硫气体刻蚀的半导体制造工艺，它提供相对下方层的选择性和/或使上方光刻胶的侧刻蚀速率最小化以保持由光刻胶所确定的临界尺寸。刻蚀剂气体可包括SO₂和载体气体如Ar或He并视需要加入其它气体如HBr。该工艺可形成结构如波纹结构时用于刻蚀0.25微米和较小的接点或通过开口。

主权项

1.一种以对上方和/或下方层的选择性刻蚀有机抗反射涂层的方法，包括：将半导体基材支撑在等离子体刻蚀反应器中，所述基材包括在下方层之上的有机抗反射涂层；激发无O2刻蚀气体成等离子体态和刻蚀有机抗反射涂层中的开口，所述刻蚀气体包含含硫气体和载体气体。