| 主权项 |
1.一种微影投射装置,包含:-一用于提供辐射投射束的辐射系统;-一用于支援图案制作构件的支援结构,该图案制作构件会依照所要的图案制造投射束图案;-一用于固定基板的基板固定桌;以及-一用于将已有图案的辐射束投射到基板目标部份上的投射系统,特征在于:-一清洁装置,用于在原地清洁微影装置内的组件,该清洁装置包含:-一污染释放构件,使用电磁场从该要清洁的组件表面上释放污垢;以及-一污染去除构件,用于从该装置去除释出的污垢。2.如申请专利范围第1项之装置,其中该污染释放构件包含一雷射装置,用于将清洁用的辐射束导引至要清洁的该组件表面,将其上的污垢融化或热移除。3.如申请专利范围第2项之装置,其中该雷射装置包含光束扫描构件,用于改变该清洁光束(用于扫描该欲清洁的表面)的角度。4.如申请专利范围第2或3项之装置,其中该雷射装置经过调适可发出一脉冲光束当成该清洁光束,该脉冲光束较好是包含具有小于100毫微秒期间的脉冲。5.如申请专利范围第2或3项之装置,其中该雷射装置可调适成改变该清洁光束的波长。6.如申请专利范围第2或3项之装置,其中该雷射装置经过调适可发出平面偏振光的光束当成该清洁光束,并且较好是以低于或等于布鲁斯特角度(Brewster's angle)将该平面偏振光导引至该表面上。7.如申请专利范围第1.2或3项之装置,其中该污垢去除装置包含一用于排除所去除污垢的真空泵。8.如申请专利范围第7项之装置,进一步包含冲洗气体装置,用于将一惰性冲洗气体供应至欲清洁的该表面附近。9.如申请专利范围第1.2或3项之装置,其中该污垢去除装置包含:-用于在该欲清洁的组件周围提供一非离子化环境之构件;-一可定位在最靠近该欲清洁的组件之清洁工具;以及-一在该欲清洁的组件与该清洁工具之间供应一电位差之电源;-藉此该清洁构件会架构并配置成清洁该欲清洁的组件。10.如申请专利范围第9项之装置,其中该用于提供一非离子化环境的构件包含用于将该组件内含空间清乾净的构件。11.如申请专利范围第9项之装置,其中该用于提供一非离子化环境的构件包含用于将一惰性气体供应至该欲清洁的组件附近之气体供应构件构件。12.如申请专利范围第9项之装置,其中该清洁工具可定位在与该欲清洁组件的表面有段距离之处,该距离范围从10nm至30mm。13.如申请专利范围第9项之装置,其中该电位差的范围从0.1至100kV。14.如申请专利范围第9项之装置,其中该清洁工具从包含下列的群组中选出:平面形、波浪形、线形、网状、锐利形以及点形。15.如申请专利范围第14项之装置,其中该清洁工具具有至少两不同形状以及/或大小的复数工具尖端。16.如申请专利范围第9项之装置,其中该清洁构件进一步包含用于将该欲清洁的组件上之污垢离子化之离子化构件。17.如申请专利范围第1.2或3项之装置,进一步包含定位构件,用于在该清洁工具与该欲清洁的组件之间提供一相对扫描动作。18.如申请专利范围第18项之装置,其中该定位构件用于将该清洁装置放置在一操作位置与一非操作位置之间,并且第二定位构件用于扫描该欲清洁的组件。19.如申请专利范围第1.2或3项之装置,其中该清洁构件进一步包含用于冷却至少部分该清洁工具之冷却构件。20.一种清洁一微影投射装置的方法,包含步骤:-使用整合至微影装置清洁装置来清洁该微影装置的组件,该清洁装置使用电磁场从欲清洁组件的表面将粒子释放出来。21.一种装置制造方法,包含步骤:-提供一至少部份被感光材料层覆盖的基板;-使用辐射系统提供一辐射投射能量束;-使用制图构件让投射能量束在其横截面上具有图案;-将辐射图案光束投射至感光材料层的目标部分上,其特征在于进一步包含步骤:-使用整合至微影装置清洁装置来清洁该微影装置的组件,该清洁装置使用电磁场从欲清洁组件的表面将粒子释放出来。22.如申请专利范围第21项之方法,该方法进一步包括:-投射该有图案的光束之前,藉由使用高度感应构件测量一基板桌上的该基板来侦测污垢;-若侦测到污垢,从该基板桌上移除该基板并清洁该基板桌;-将该基板放置在该基板桌上,并且利用再次测量该基板来侦测污垢;以及-若再次侦测到污垢,将该基板退回。23.一种依照申请专利范围第21或22项之方法制造的装置。图式简单说明:图1说明依照本发明一具体实施例的微影投射装置;图2说明依照本发明第一具体实施例形成部分微影装置的清洁装置;图3A至F说明图2内清洁装置所使用不同的工具尖端形状;以及图4说明依照本发明第二具体实施例形成部分微影投射装置的清洁装置。 |
