| 主权项 |
1.一种制造一种微电机械(MEM)开关之方法,其包含步骤有:a)沈积一第一介电层于一基板上,该第一介电层具有形成于其中之导电连接线;b)沈积一第二介电层,其中形成有通过之导电通道,该导电通道与该复数个导电连接线至少其中之一相接触;c)形成一孔洞,其由该第二介电层挖开而成;d)以牺牲材料填满该孔洞,并平坦化该牺牲材料;以及e)沈积一第三介电层,并形成一导电杆,使该导电通道接触该导电杆。2.如申请专利范围第1项之方法,其进一步包含步骤有:f)沈积一第四介电层,并制作一第二孔洞图样,其与该第一孔洞相容;g)以牺牲材料填满该第二孔洞,并平坦化该牺牲材料;h)沈积一第五层以覆盖该第二孔洞;i)于该牺牲材料上图样制作并蚀刻复数个孔;以及j)选择性地去除该牺牲材料,使得该导电杆至少一端可被固定住,并留下该导电杆剩余部分被空气环绕。3.如申请专利范围第2项之方法,其进一步包含步骤有添加一第六介电层以密封该第二孔洞,以保护该导电杆裸露之部分,并隔离该第五介电层中之释放通道。4.如申请专利范围第3项之方法,其中该保护层系由Ta或TaN所制成。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该步骤e)系由选择性地从该第二介电层去除牺牲材料所取代,该选择性去除与该第一孔洞之形状相符合。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该孔洞系藉由从大致该导电杆处,选择性地去除介电材料而形成。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该步骤e)被以下步骤所取代:e1)一图样制作该第三介电层,以选择性地从该第三介电层释放该导电杆;以及e2)去除在该第二介电层中之该牺牲材料。8.如申请专利范围第1项之其中该导电连接线系由铜所形成,且其中该导电连接线位于一介电质中。9.如申请专利范围第8项之方法,其中所有或部分之该铜连接线被挖掘至一程度,足以在当该微电机械开关在一关闭状态中,提供一电容空气间隙。10.如申请专利范围第1项之方法,其中该导电线相对该第一介电层之上表面,被挖掘以最小化沾黏效应。11.如申请专利范围第10项之方法,其进一步包含封装该凹陷导电线之步骤。12.如申请专利范围第2项之方法,其中该导电杆之一或两端可被固定住。13.如申请专利范围第1项之方法,其中该微电机械开关耦合至复数个金属-介电质-金属开关,该开关以各种组态排列。14.如申请专利范围第1项之方法,其中形成于该第一孔洞中裸露区域之该导电线,作用如致动电极,可拉低该导电杆,并提供一或多个电气信号途径。15.如申请专利范围第1项之方法,其中该第二介电层被沈积至一厚度,该厚度系由形成于该复数个导电连接线间之间隙大小所决定,该间隙作用如下电极与该导电杆。16.一种微电机械(MEM)开关,其包含:埋入于沈积于基板上第一介电层中之导线,该导线相对于该低介电层之上表面较凹陷;一第一孔洞,其位于一第二介电层上;一导电杆,其位于该第一孔洞上,且藉由第三介电层固定在至少该导电杆之一端;一第二孔洞,其由加在该第三介电层上之第四介电层挖开而得,该第二孔洞具有与第一孔洞周围相配合之周围;一第五介电层,其被加诸该第四层上,以提供保护于该导电杆。17.如申请专利范围第16项之微电机械开关,其中该导电杆固定于其一端或两端。图式简单说明:图1与2分别显示沿着先前技艺中微电机械开关之可挠杆,长度方向之截面图示与上视图示,其中可挠杆之两端被固定住;图3与4分别显示另一形式之先前技艺微电机械开关,截面图示与上视图示,其中该杆仅一端被固定住;图5与6分别为根据本发明所制造之微电机械开关之一截面图示与上视图示,该杆之两端被固定住;图7与图8分别显示根据本发明所制造之微电机械开关之一截面图示与上视图示,其中该杆仅一端被固定住;图9至19说明根据本发明之一较佳具体实施例,制造微电机械元件所需之一系列步骤;图19A显示根据本发明,在关闭位置之完整微电机械开关。图20至25显示交替制程流程,提供较佳具体实施例之微电机械开关之完全密封状态。图26与27说明一交替制程,可完全自释放材料制造孔洞与通道介电层。 |
