| 主权项 |
1.一种处理印刷电路板上的铜表面的方法,其包含如下的步骤:a)提供印刷电路板上具有铜表面者b)在至少一部份的铜表面上生成一种以铜为基础的有机金属转化涂膜c)以处理溶液与以铜为基础的有机金属转化涂膜接触,此处理溶液在以铜为基础的有机金属转化涂膜上造成还原反应、溶解反应或二者皆有,因此,基本上,将以铜为基础的有机金属转化涂膜转化成为以亚铜为基础的有机金属转化涂膜。2.如申请专利范围第1项的方法,进一步包括将铜氧化抑制剂应用在以铜为基础的有机金属转化涂膜的步骤。3.如申请专利范围第2项的方法,其中铜氧化抑制剂与处理溶液同时使用。4.如申请专利范围第3项的方法,其中铜氧化抑制剂纳入处理溶液中。5.如申请专利范围第1项的方法,其中处理溶液造成还原反应,此还原反应是因为以铜为基础的有机金属转化涂膜与胺基硼烷接触所引起的。6.如申请专利范围第5项的方法,其中胺基硼烷系由下列各物中选出:二甲基胺基硼烷、二乙基胺基硼烷及吗硼烷。7.如申请专利范围第1项的方法,其中处理溶液造成还原反应,此还原反应是因为以铜为基础的有机金属转化涂膜与由下列各物中选出的还原剂接触所引起的:氨、硷金及/或硷土金属的氢化硼、次磷酸盐、亚硫酸盐类、亚硫酸氢盐类(bisulfite及hydrosulfite)、偏亚硫酸氢盐类、二硫磺酸盐类、四硫磺酸盐类、硫代硫酸盐类、硫类、胼类、羟胺类、醛类(包括甲醛及乙二醛)、乙醛酸类、及还原的糖类。8.如申请专利范围第1项的方法,其中处理溶液造成溶解反应,此溶解反应是因为以铜为基础的有机金属转化涂膜与铜离子螯合物接触所引起的。9.如申请专利范围第1项的方法,其中处理溶液造成溶解反应,此溶解反应是因为以铜为基础的有机金属转化涂膜与有机或无机酸及/或其盐类、或有机或无机酸接触所引起的。10.如申请专利范围第1项的方法,其中将处理溶液纳入一溶液中,用以生成以铜为基础的有机金属转化涂膜。11.如申请专利范围第1项的方法,其中处理溶液造成溶解反应,此溶解反应是因为以铜为基础的有机金属转化涂膜与由下列各物中选出的物质接触所引起的:EDTA、HEEDTA、NTA、DTPA、DCTA、Quadrol、有机膦酸盐类。12.如申请专利范围第9项的方法,其中有机酸系由下列各物中选出:柠檬酸、酒石酸、葡萄庚酸、麸胺酸、磺胺酸、羟乙酸、甘胺酸、羟丁二酸、顺丁烯二酸、柳酸、抗坏血酸、甲酸,及其混合物。13.如申请专利范围第9项的方法,其中无机酸系由下列各物中选出:氢氯酸、氢氟酸、氢溴酸、硝酸、铬酸及其混合物。14.如申请专利范围第1项的方法,其中处理溶液造成溶解反应,此溶解反应是因为以铜为基础的有机金属转化涂膜与胺类接触所引起的。15.如申请专利范围第14项的方法,其中胺系由下列各物中选出:MEA、DEA、TEA、TMAH、EDA、DETA、TETA及TEPA。16.如申请专利范围第1项的方法,其中处理溶液造成溶解反应,此溶解反应是因为以铜为基础的有机金属转化涂膜与氢氧化铵或一种膦酸盐接触所引起的。17.如申请专利范围第2项的方法,其中铜氧化抑制剂系由下列各物中选出:未取代的唑衍生物、烷基取代的唑衍生物、芳基取代的唑衍生物、烷基芳基取代的唑衍生物、及上述组合物、及上述物质的卤素取代的衍生物。18.如申请专利范围第17项的方法,其中铜氧化抑制剂系由下列各物中选出:BTA、TTA、5-甲基苯咪唑、2-溴基苯咪唑、2-氯基苯咪唑、2-溴苯基苯咪唑、2-氯苯基苯咪唑、2-溴乙基苯基苯咪唑、2-氯乙基苯基苯咪唑、及2-十一烷基-4-甲基咪唑,及上述组合物。19.如申请专利范围第2项的方法,其中此处理溶液进一步包含一种界面活性剂。20.如申请专利范围第19项的方法,其中此界面活性剂系由各种离子性界面活性剂中选出。21.如申请专利范围第19项的方法,其中此界面活性剂系由各种非离子性界面活性剂中选出。22.如申请专利范围第1项的方法,其中该处理溶液包含一种铜氧化抑制剂及一种二甲基胺基硼烷。 |
