显示装置及其制造方法

摘要

本发明系以实现高品质化之反射型及半透过型LCD为目的。其特征为：在第1基板100上，形成依各画素所设置的TFT 110、覆盖此之绝缘膜34、38、以及在绝缘膜上与TFT 110绝缘并将来自第2基板200侧之入射光予以反射之反射层44。反射层44系由保护膜46所覆盖，在此保护膜46上形成由具备有与第2电极250同样工作函数的ITO等透明导电材料所构成之第1电极50并与TFT 110连接。藉由覆盖反射层44之保护膜46而可使反射层44之反射面，在处理 TFT 110与第1电极50之间的接触时，受到保护并防止反射特性的恶化。而且，藉由特性类似的第1、第2电极50、250可以良好对称性地交流驱动液晶层300。本案代表图：第2图20 主动层(p-Si层) 20c 通道区域20d 汲极区域 20s 源极区域30 闸极绝缘膜 32 闸极电极(闸极线)34层间绝缘膜 36 汲极电极(数据线)38 平坦化绝缘膜 40 第2接触孔41 第3接触孔 43 第4接触孔44 反射层 46 保护膜50第1电极 60、260 配向膜100 第1基板 110 TFT200 第2基板 210彩色滤光片250 第2电极 300 液晶层

主权项

1.一种显示装置,系在具备有第1电极的第1基板,与具备有第2电极之第2基板之间封入液晶层而构成,并进行各个画素之显示的显示装置,其特征为,前述第1基板,复具备有:开关元件,设置于前述各画素;反射层,形成在覆盖前述开关元件之绝缘膜上并与前述开关元件绝缘,而分别将由透明的第2基板以及第2电极侧入射至前述液晶层之光予以反射;保护膜,覆盖前述反射层而形成;藉由在开关元件对应区域贯穿前述保护膜以及前述绝缘膜并开口的接触孔,而使由透明导电材料所构成之前述第1电极,电性连接至前述开关元件。2.如申请专利范围第1项之显示装置,其中,前述开关元件,系采用矽于主动层的薄膜电晶体,而前述第1电极,系直接与该薄膜电晶体之前述主动层接触。3.如申请专利范围第1项或第2项之显示装置,其中,前述第1电极之前述透明导电性材料之工作函数,与形成于前述第2基板之液晶层侧之前述第2电极之透明导电性材料之工作函数之间的差,系为0.001eV至0.5 eV。4.如申请专利范围第1项或第2项之显示装置,其中,在前述各画素中的液晶层驱动频率,系为5Hz至60Hz。5.一种显示装置之制造方法,该显示装置系于具备有透明第1电极之第1基板与具备有透明第2电极之第2基板之间封入液晶层而构成,其特征为:在前述第1基板上形成薄膜电晶体;并覆盖前述薄膜电晶体而形成至少一层的绝缘膜;并覆盖前述绝缘膜上而形成反射材料层,并进行图案化以使该材料层残留在与前述薄膜电晶体之主动层相对应的区域以外之预定画素区域,而形成反射层;并覆盖前述反射层而形成保护膜;并在前述薄膜电晶体之主动层对应区域形成贯穿前述保护膜以及前述绝缘膜之接触孔,以使前述主动层露出;并以覆盖前述保护膜以及前述露出之主动层的方式形成由透明导电材料所构成之前述第1电极,并藉由前述接触孔而连接前述第1电极与前述主动层。图式简单说明:第1图,系显示与本发明之实施形态有关之主动矩阵型之反射型LCD第1基板侧的概略平面构成图。第2图,系显示沿第1图A-A线位置之反射型LCD之概略剖面构成图。第3图,系显示与本发明实施型态有关之主动矩阵型之半透过型LCD第1基板侧的概略平面构成图。第4图,系显示沿第3图B-B线位置之半透过型LCD之概略剖面构成图。第5图,系本发明之主动矩阵型之有机EL显示器之概略剖面构造图。第6图,系显示习知之主动矩阵型之反射型LCD中第1基板侧之部分平面构造图。第7图,系显示沿第6图之C-C线位置之习知反射型LCD之概略剖面构造图。