| 主权项 |
1.一种光电装置,是属于在保持光电物质之基板上,形成具备有复数薄膜开关元件之电气元件形成区域的光电装置,其特征为:在上述电气元件形成区域内,形成有使用检查上述薄膜开关元件之特性的检查图案,和对该检查图案电气性连接的检查垫片。2.如申请专利范围第1项所记载之光电装置,其中,上述电气元件形成区域是矩阵状地配置具有使用驱动上述光电物质之画素电极,和为了驱动该画素电极当作上述薄膜开关元件而所形成的画素开关用之主动元件的画素之画素区域,在上述画素区域上,形成有呈矩阵状地具有使用显示画像之复数有效画素的有效画素区域,和在该有效画素区域之外围侧上利用遮光构件覆盖,不直接有助于画像之显示之复数虚拟画素的虚拟画素区域,上述检查图案及上述检查垫片是被形成在上述虚拟画素区域内。3.如申请专利范围第2项所记载之光电装置,其中,在上述有效画素及上述虚拟画素之各个上,形成有作为上述画素开关用之主动元件,该是具备有资料线电气性连之源极区域、上述画素电极电气性连接的汲极区域,及闸极电极透过绝缘膜而对时之通道区域的画素开关用薄膜电晶体,于上述复数虚拟画素区域之至少一个上,形成与上述画素开关用薄膜电晶体之构造及尺寸相同的检查用薄膜电晶体而当作上述检查图案,并且,在上述虚拟画素区域中,在形成有上述检查用薄膜电晶体之第1检查画素上,形成电气性连接于该检查用电晶体之汲极区域的第1检查垫片,在邻接于上述第1检查画素的第2检查画素上,形成有电气性连接于上述检查用薄膜电晶体之源极区域的第2检查垫片,在邻接于上述第1检查画素的第3检查画素上,形成有电气性连接于上述检查用薄膜电晶体之闸极电极的第3检查垫片。4.如申请专利范围第3项所记载之光电装置,其中,上述第1检查垫片是透过层间绝缘膜之接触孔,而对连接于上述检查用薄膜电晶体之汲极区域的汲极电极电气性连接,上述第2检查垫片是透过层间绝缘膜之接触孔,而对从上述资料线到上述第2检查画素为止所延伸设置的部分电气性连接,上述第3检查垫片是透过层间绝缘膜之接触孔,而对从上述闸极电极到上述第3检查画素为止所延伸设置的部分电气性连接。5.如申请专利范围第1项所记载之光电装置,其中,在上述基板上形成具有使用驱动上述光电物质之画素电极;和使用驱动该画素电极之画素开关用薄膜电晶体的画素被配置成矩阵状的画素区域,并且,于该画素区域之外侧区域上,形成复数具备有将使用供给讯号于上述画素开关用薄膜电晶体的驱动电路用薄膜电晶体当作上述薄膜开关元件之驱动电路,而作为上述电气元件形成区域,针对上述检查图案及上述检查垫片,是被形成在形成有上述驱动电路之区域内,并且,上述检查垫片是被配置在形成有上述驱动电路之区域内中,无形成上述驱动电路用薄膜电晶体的空白区域上。6.如申请专利范围第5项所记载之光电装置,其中,上述检查垫片是和上述驱动电路用薄膜电晶体之构造及尺寸为相同的检查用薄膜晶体。7.如申请专利范围第1项所记载之光电装置,其中,上述光电物质是在保持在上述基板和透过规定间隙而被相向配置的对向基板之间的液晶。8.一种光电装置之制造方法,其属于在保持光电物质之基板上,形成具备有复数薄膜开关元件之电气元件形成区域的光电装置之制造方法,在上述基板之上述电气元件形成区域内形成上述薄膜开关元件之时,在该电气元件形成区域内,形成有使用检查上述薄膜开关元件之电气性特性的检查图案,及对该检查图案电气性连接的检查垫片,使检查用端子抵接于上述检查垫片来检查上述检查图案之电气性特性,使用该检查结果被判断为良好的上述基板而制造上述光电装置。9.如申请专利范围第8项所记载之光电装置之制造方法,其中,形成具备有呈矩阵状地具有使用驱动上述光电物质之画素电极;和为了驱动该画素电极当作上述薄膜开关元件而所形成的画素开关用之主动元件的画素之画素区域,而作为上述电气元件形成区域,并且,在上述画素区域内之外围区域上,形成上述检查图案及上述检查垫片。10.如申请专利范围第9项所记载之光电装置之制造方法,其中,使用上述基板组装上述光电装置之时,针对上述画素区域之中央区域,是作为矩阵状配置使用显示画像之复数有效画素的有效画素区域,针对上述画素区域之外围侧区域,是作为配置有不直接有助于画像显示之复数虚拟画素的虚拟画素区域而利用遮光构件予以覆盖。11.如申请专利范围第9项或第10项所记载之光电装置之制造方法,其中,在上述画素区域之各画素上,形成有具备资料线电气性连接的源极区域、上述画素电极电气性连接的汲极区域,及闸极电极透过绝缘膜而对峙的通道区域的画素开关用薄膜电晶体,针对在上述画素区域内位于外围侧之至少1个画素,是形成与上述画素开关用薄膜电晶体之构造及尺寸相同的检查用薄膜电晶体而当作上述检查图案,并且,形成电气性连接于该检查用薄膜电晶体之汲极区域的第1检查垫片而作为第1检查画素,在邻接于上述第1检查画素的第2检查画素上,形成有电气性连接于上述检查用薄膜电晶体之源极区域的第2检查垫片,在邻接于上述第1检查画素的第3检查画素上,形成有电气性连接于上述检查用薄膜电晶体之闸极电极的第3检查垫片。12.如申请专利范围第11项所记载之光电装置之制造方法,其中,针对上述第1检查垫片是透过层间绝缘膜之接触孔,而对连接于上述检查用薄膜电晶体之汲极区域的汲极电极电气性连接,针对上述第2检查垫片是透过层间绝缘膜之接触孔,而对从上述资料线到上述第2检查画素为止所延伸设置的部分电气性连接,上述第3检查垫片是透过层间绝缘膜之接触孔,而对从上述闸极电极到上述第3检查画素为止所延伸设置的部分电气性连接。13.如申请专利范围第8项所记载之光电装置之制造方法,其中,在上述基板上形成具有使用驱动上述光电物质之画素电极;和使用驱动该画素电极之画素开关用薄膜电晶体的画素被配置成矩阵状的画素区域,并且,于该画素区域之外侧区域上,形成复数具备有将使用供给讯号于上述画素开关用薄膜电晶体的驱动电路用薄膜电晶体当作上述薄膜开关元件之驱动电路,而作为上述电气元件形成区域,针对上述检查图案及上述检查垫片,是被形成在形成有上述驱动电路之区域内,并且,针对上述检查图案是形成在形成有上述驱动电路之区域内中,无形成上述驱动电路用薄膜电晶体的空白区域上。14.如申请专利范围第13项所记载之光电装置之制造方法,其中,上述检查垫片是和上述驱动电路用薄膜电晶体之构造及尺寸为相同的检查用薄膜晶体。图式简单说明:第1图(A)、(B)各为由对向基板侧观看形成在液晶装置上之各构成要素的平面图,及第1图(A)之H-H'剖面图。第2图是模式性表示第1图所示之液晶装置所使用之TFT阵列基板之构成的方块图。第3图是矩阵状形成在第2图之画素区域中的复数画素中之各种元件、配线等之等效电路图。第4图是第3图所示之画素的平面图。第5图是在相当于第4图之A-A'线的位置上切断时的剖面图。第6图是第1图所示之驱动电路的平面图。第7图是在相当于第6图之B-B'线的位置上切断时的剖面图。第8图是表示使用检查形成在第2图之画素区域的画素开关用TFT的检查用TFT及垫片之构成的平面图。第9图是在相当于第8图之A1-A1'线、A2-A2'线、A3-A3'线的位置上切断时的剖面图。第10图是表示使用检查第6图及第7图所示之驱动电路所使用之驱动电路用TFT的检查用TFT及检查垫片之构成的平面图。第11图是在相当于第10图之B1-Bl'线之位置上切断时的剖面图。第12图(A)至(E)是表示适用本发明之TFT阵列基板之制造方法的工程剖面图。第13图(F)至(I)是表示适用本发明之TFT阵列基板之制造方法的工程剖面图。第14图(J)至(N)是表示适用本发明之TFT阵列基板之制造方法的工程剖面图。第15图(O)至(Q)是表示适用本发明之TFT阵列基板之制造方法的工程剖面图。第16图是表示在适用本发明之另外的液晶装置中,使用检查画素开关用TFT之检查用TFT及检查垫片之构成的平面图。第17图是在相当于第16图之A1-A1'线、A2-A2'线、A3-A3'线的位置上切断时的剖面图。第18图是表示将本发明所涉及之液晶装置当作显示装置使用的电子机器之电路构成的方块图。第19图(A)、(B)各表示使用本发明所涉及之液晶装置的携带型之个人电脑的说明图,及行动电话的说明图。第20图是表示由大型基板制造以往液晶装置所使用之TFT阵列基板之情况的说明图。第21图是表示在以往之液晶装置中,使用检查画素开关用TFT之检查用TFT及检查垫片之构成的说明图。 |
