发明名称 有机抗反射膜之组合物及其制造方法
摘要 课题:提供一种抗反射用有机物质,系采用193nmArF的微影制程用光阻,而在使用此光阻之超精细图案的形成步骤中,能够防止下方膜层的反射,并去除因光与光阻本身的厚度变化之驻波,特别是,提供一种能够使用于64M、256M、1G、4G DRAM的超精细图案形成时之有机抗反射化合物及其制造方法。并且,本发明提供一种含有这种有机抗反射化合物之抗反射膜的组合物、以及使用此组合物之抗反射膜及其制造方法。解决手段:具有以下所示的化学式〔化1〕的结构之聚合物化合物。〔化1〕(上式中,Ra、、Rb表示氢或甲基;R'或R"各别表示-H、-OH、-OCOCH3、-COOH、-CH2OH,或是碳数为1至5的取代或非取代、直链或支链烷基或烷氧烷基;n表示1至5的整数;x、y各别表示0.01至0.99的莫耳比。)
申请公布号 TW591243 申请公布日期 2004.06.11
申请号 TW091123560 申请日期 2002.10.14
申请人 海力士半导体有限公司 发明人 郑旼镐;崔重逸
分类号 G02B1/11 主分类号 G02B1/11
代理机构 代理人 洪澄文 台北市大安区信义路四段二七九号三楼
主权项 1.一种聚合物,具有以下所示的化学式[化1]的结构;[化1]上式中,Ra、Rb表示氢或甲基;R'或R"各别表示-H、-OH、-OCOCH3.-COOH、-CH2OH,或是碳数为1至5的取代或非取代、直链或支链烷基或烷氧烷基;n表示1至5的整数;x、y各别表示0.01至0.99的莫耳比。2.如申请专利范围第1项所述的聚合物,其中Ra、Rb为氢;R'、R"各别为氢;n为2;x、y各别为0.5。3.如申请专利范围第1项所述的聚合物,其中Ra、Rb为氢;R'、R"各别为氢;n为3;x、y各别为0.5。4.如申请专利范围第1项所述的聚合物,其中Ra、Rb为氢;R'、R"各别为氢;n为4;x、y各别为0.5。5.如申请专利范围第1项所述的聚合物,其中Ra为氢;Rb为甲基;R'、R"各别为氢;n为2;x、y各别为0.5。6.如申请专利范围第1项所述的聚合物,其中Ra为氢;Rb为甲基;R'、R"各别为氢;n为3;x、y各别为0.5。7.如申请专利范围第1项所述的聚合物,其中Ra为氢;Rb为甲基;R'、R"各别为氢;n为4;x、y各别为0.5。8.一种制造如申请专利范围第1项之聚合物的方法,其中将烷氧基苯乙烯系单体与丙烯酸羟烷基脂系单体溶于溶剂中加以混合之后,添加自由基引发剂于前述结果物中进行聚合反应,该聚合反应温度在50至90℃之范围,各单体的莫耳比为0.01至0.99。9.如申请专利范围第8项所述的制造方法,其中前述溶剂系由四氢喃、甲苯、苯、甲基乙基甲酮、以及二恶烷所构成的群组之中所选择的任1种以上来加以使用。10.如申请专利范围第8项所述的制造方法,其中前述自由基引发剂系由2,2'-偶氮二异丁、过氧化乙醯、过氧化月桂基、以及过氧化第三丁基所构成的群组之中所选择的任1种以上来加以使用。11.一种抗反射膜之组合物,其特征在于:包含前述如申请专利范围第1项所述的化学式[化1]的结构之聚合物化合物、以及具有下述化学式[化2]的结构之聚合物化合物;[化2]上式中,R10与R11各别表示支链或直链的被取代的C1至C10的烷氧烷基;R12表示氢或甲基。12.一种抗反射膜之制造方法,其特征在于:将如申请专利范围第11项所述的抗反射膜之组合物溶于用量为前述抗反射膜之组合物之200至5000重量%之有机溶剂之后,过滤此溶液,涂布于下层后在100~300℃之温度下加以烧固,由此制程所构成者。13.如申请专利范围第12项所述的抗反射膜之制造方法,其中前述有机溶剂系使用由乙基-3-乙氧基丙酸酯、甲基-3-甲氧基丙酸酯、环己酮、丙二醇甲醚乙酸脂所构成的群组之中所选择的任一种。
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