| 主权项 |
1.一种MEMS元件,其特征在于:具备:基板侧电极;以及梁条,其系具有由相对向于前述基板侧电极而配置,并藉由在与其基板侧电极45之间作用的静电引力或静电斥力而驱动的基板侧电极所构成;且前述基板侧电极系由单结晶半导体层所形成。2.如申请专利范围第1项之MEMS元件,其中前述基板侧电极系由形成于基板的绝缘表面上的单结晶半导体层所形成。3.如申请专利范围第1项之MEMS元件,其中前述基板侧电极系由生长于基板的绝缘表面上的磊晶生长层所形成。4.如申请专利范围第1项之MEMS元件,其中使用在半导体基板上中介绝缘层而具有单结晶半导体层之SOI基板,且由前述单结晶半导体层形成前述基板侧电极。5.一种MEMS元件之制造方法,其特征在于具备:在基板的绝缘表面上,形成由来于单结晶半导体层之基板侧电极的步骤;包含前述基板侧电极上,中介或无中介绝缘膜,而选择性地形成牺牲层的步骤;在前述牺牲层上,形成具有驱动侧电极之梁条的步骤;以及去除前述牺牲层的步骤。6.如申请专利范围第5项之MEMS元件之制造方法,其中以磊晶生长层形成前述基板侧电极。7.如申请专利范围第5项之MEMS元件之制造方法,其中使用在半导体基板上中介绝缘层而具有单结晶半导体层之SOI基板,且由前述单结晶半导体层形成基板侧电极。8.一种光调制元件,其特征在于:具备:基板侧电极;以及梁条,其系具有由相对向于前述基板侧电极而配置,并藉由在与其基板侧电极之间作用的静电引力或静电斥力而驱动的基板侧电极所构成;且前述基板侧电极系由单结晶半导体层所形成。9.如申请专利范围第8项之光调制元件,其中前述基板侧电极系由形成于基板的绝缘表面上的单结晶半导体层所形成。10.如申请专利范围第8项之光调制元件,其中前述基板侧电极系由生长于基板的绝缘表面上的磊晶生长层所形成。11.如申请专利范围第8项之光调制元件,其中使用在半导体基板上中介绝缘层而具有单结晶半导体层之SOI基板,且由前述单结晶半导体层形成前述基板侧电极。12.一种GLV装置,其特征在于:具备:共通之基板侧电极;以及复数之梁条,其系具有相对向于前述共通之基板侧电极且互相独立并列设置,并藉由在与该基板侧之间作用的静电引力或静电斥力而驱动之光反射膜兼驱动侧电极;且前述基板侧电极系由单结晶半导体层所形成。13.如申请专利范围第12项之GLV装置,其中共通的基板侧电极系由形成于基板的绝缘表面上的单结晶半导体层所形成。14.如申请专利范围第12项之GLV装置,其中前述基板侧电极系由生长于基板的绝缘表面上的磊晶生长层所形成。15.如申请专利范围第12项之GLV装置,其中使用在半导体基板上中介绝缘层而具有单结晶半导体层之SOI基板,且由前述单结晶半导体层形成前述共通之基板侧电极。16.一种GLV装置之制造方法,其特征在于具备:在基板的绝缘表面上,形成由来于单结晶半导体层之共通的基板侧电极的步骤;包含前述基板侧电极上,中介或无中介绝缘膜,而选择性地形成牺牲层的步骤;形成一具有在前述牺牲层上相互独立地并列配置之光反射膜兼驱动侧电极之复数之梁条的步骤;以及去除前述牺牲层的步骤。17.如申请专利范围第16项之GLV装置之制造方法,其中以磊晶生长层形成前述共通的基板侧电极。18.如申请专利范围第16项之GLV装置之制造方法,其中使用在半导体基板上中介绝缘层而具有单结晶半导体层之SOI基板,且由前述单结晶半导体层形成前述共通的基板侧电极。19.一种雷射显示器,其特征在于:其系具有雷射光源、以及配置于自该雷射光源所射出之雷射光的光轴上,并调制雷射光的光强度之GLV装置,前述GLV装置系具备:共通之基板侧电极;以及复数之梁条,其系具有相对向于前述共通之基板侧电极且互相独立并列设置,并藉由在与该基板侧之间作用的静电引力或静电斥力而驱动之光反射膜兼驱动侧电极;前述基板侧电极系由单结晶半导体层所形成。图式简单说明:图1表示本发明之MEMS元件之代表性的一实施形态之构成图。图2表示本发明之MEMS元件之代表性的其他实施形态之构成图。图3表示本发明之MEMS元件之驱动侧电极之平坦性的要部截面图。图4A~E表示图1之MEMS元件之制造方法之一实施形态之制造步骤图(其一)。图5A~C表示图1之MEMS元件之制造方法之一实施形态之制造步骤图(其二)。图6A~D表示图1之MEMS元件之制造方法之其他实施形态之制造步骤图(其一)。图7A~C表示图1之MEMS元件之制造方法之其他实施形态之制造步骤图(其一)。图8A~D表示图1之MEMS元件之制造方法之其他实施形态之制造步骤图(其一)。图9A~D表示图1之MEMS元件之制造方法之其他实施形态之制造步骤图(其二)。图10A、B表示图1之MEMS元件之制造方法之其他实施形态之制造步骤图(其三)。图11A表示本发明之GLV装置之实施形态之构成图。图11B表示图11A之截面图。图12表示本发明之雷射显示器之制造方法之实施形态之构成图。图13依习知之说明之光学MEMS元件之代表性之一例。图14依习知之说明之光学MEMS元件之代表性之其他例。图15A~E表示习知之图14之MEMS元件之制造方法之例子之制造步骤图(其一)。图16A~D表示习知之图14之MEMS元件之制造方法之例子之制造步骤图(其二)。图17A表示习知之GLV装置之构成图。图17B表示图17A之GLV装置之截面图。图18表示习知之光学MEMS元件之驱动侧电极的凹凸之要部截面图。 |
