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1.一种矽氧烷树脂组合物,包括: (A)2.5至85莫耳份之R1SiO3/2矽氧烷单元,其中之R1系独 立选自包含具有1至5个碳原子之烷基、氢及其混 合物; (B)2.5至50莫耳份之R2SiO3/2矽氧烷单元,其中之R2系独 立选自包含具有6至30个碳原子之单价有机基以及 具有6至30个碳原子之单价经取代有机基;及 (C)5至95莫耳份之(R3O)bSiO(4-b)/2矽氧烷单元,其中之R3 系独立选自包含具有3至30个碳原子之分支烷基以 及具有3至30个碳原子之分支经取代烷基,b为1至3, 成分(A)、(B)及(C)之总量为100莫耳份,且成分(A)、(B) 及(C)之总和为树脂组合物中全部矽氧烷单元之至 少50%。2.如申请专利范围第1项之矽氧烷树脂组合 物,其中之矽氧烷树脂平均含30至60莫耳份之成分(A ),10至25莫耳份之成分(B)及20至50莫耳份之成分(C), 其中成分(A)、(B)及(C)之总量为100莫耳份,且成分(A) 、(B)及(C)之总和为树脂组合物中全部矽氧烷单元 之至少70%。3.如申请专利范围第1项之矽氧烷树脂 组合物,其中之R1系选自包含甲基、氢及其混合物 之群组,R2系具有10至20个碳原子之未经取代或经取 代烷基,且R3为具有4至18个碳原子之三级烷基。4. 如申请专利范围第1项之矽氧烷树脂组合物,其中 之R3为第三丁基。5.如申请专利范围第1项之矽氧 烷树脂组合物,其中之树脂额外的包含至少一种选 自R1Si(X)dO(3-d/2);R2Si(X)d O(3-d/2);Si(X)d(OR3)fO(4-d-f/2)、 SiO4/2及其混合物之矽氧烷单元之矽氧烷单元,其中 R1.R2及R3之定义如上,且各X系独立为可水解基或羟 基,且d及f为1至2。6.一种制备包括R1SiO3/2矽氧烷单 元、R2SiO3/2矽氧烷单元及(R3O)bSiO(4-b)/2矽氧烷单元 之矽氧烷树脂之方法,其中该分法包括: 使下列成分合并足够之时间及温度,进行矽氧烷树 脂之调配: (a)2.5至85莫耳%之式R1SiX3之矽烷或矽烷混合物,其中 R1系独立选自包含具有1至5个碳原子之烷基、氢或 其混合物,X系独立为可水解基或羟基; (b)2.5至50莫耳%之式R2SiX3之矽烷或矽烷混合物,其中 之R2系独立选自包含具有6至30个碳原子之单价有 机基及具有6至30个碳原子之经取代单价有机基,X 独立为可水解基或羟基; (c)5至95莫耳%之式(R3O)cSiX(4-c)之矽烷或矽烷混合物, 其中之R3系独立选自包含具有3至30个碳原子之分 支烷基及具有3至30个碳原子之分支经取代烷基,c 为1至3(含),X独立为可水解基或羟基,矽烷(a),(b)及(c )合计100莫耳份;及 (d)水。7.如申请专利范围第6项之方法,尚包括溶剂 。8.如申请专利范围第6项之方法,其中R1系选自包 含甲基、氢及其混合物,R2为具有10至20个碳原子之 未经取代或经取代之烷基,且R3为具有4至18个碳原 子之三级烷基。9.如申请专利范围第6项之方法,其 中之R3为第三丁基。10.如申请专利范围第6项之方 法,其中水之含量为矽烷(a)、矽烷(b)及矽烷(c)中每 莫耳之X为0.5至2.0莫耳。11.如申请专利范围第6项 之方法,其中水之含量为矽烷(a)、矽烷(b)及矽烷(c) 中每莫耳之X为0.8至1.8莫耳。12.如申请专利范围第 6项之方法,其中之X为氯原子。13.一种形成介电常 数介于1.5至3.0之间之不可溶多孔性树脂之方法,包 括: (A)使如申请专利范围第1项之矽氧烷树脂在足够之 温度下加热足够之时间,使矽氧烷树脂硬化, (B)进一步使矽氧烷树脂在足够之温度下加热足够 之时间,自硬化之矽氧烷树脂移除R2及R3O基,因此形 成不可溶多孔性树脂。14.如申请专利范围第13项 之方法,其中步骤(A)中之加热系由超过20℃至350℃, 且步骤(B)中之进一步加热系由350℃至600℃。15.如 申请专利范围第13项之方法,其中矽氧烷树脂之硬 化及自硬化之矽氧烷树脂移除R3O基系在单一步骤 中进行。16.如申请专利范围第13项之方法,其中不 可溶多孔性树脂之孔隙度为1至60体积%,且模数为1. 0至10 GPa。17.一种在基材上形成介电常数介于1.5至 3.0之间之多孔性涂层之方法,包括之步骤为: (A)以包括含下列成分之矽氧烷树脂组合物之涂料 组合物涂布基材: (a)2.5至85莫耳份之R1SiO3/2矽氧烷单元,其中之R1系独 立选自包含具有1至5个碳原子之烷基、氢及其混 合物; (b)2.5至50莫耳份之R2SiO3/2矽氧烷单元,其中之R2系独 立选自包含具有6至30个碳原子之单价有机基以及 具有6至30个碳原子之单价经取代有机基;及 (c)5至95莫耳份之(R3O)bSiO(4-b)/2矽氧烷单元,其中之R3 系独立选自包含具有3至30个碳原子之分支烷基以 及具有3至30个碳原子之分支经取代烷基,b为1至3, 成分(a)、(b)及(c)之总量为100莫耳份,且成分(a)、(b) 及(c)之总和为树脂组合物中全部矽氧烷单元之至 少50%; (B)使经涂布之基材加热至足以使涂料组合物进行 硬化之温度,及 (C)进一步使经涂布之基材加热至足以自硬化之涂 料组合物移除R2及R3O基之温度,因此在基材上形成 不可溶多孔性涂层。18.如申请专利范围第17项之 方法,其中步骤(B)中之加热系由超过20℃至350℃,且 步骤(C)之进一步加热为超过350℃至600℃。19.如申 请专利范围第17项之方法,其中R2及R3O基之硬化及 移除系在单一步骤中,且温度超过20℃至600℃下进 行。20.如申请专利范围第17项之方法,其中R2及R3O 基之移除系在超过350℃至600℃之温度下进行。21. 如申请专利范围第17项之方法,其中之不可溶多孔 性涂层之孔隙度为1至60体积%,介电常数在1.5至3.0 之间,且模数在1.0至10 GPa之间。22.如申请专利范围 第17项之方法,其中该基材系一电子用基材。23.一 种在基材上形成介电常数介于1.5至3.0之间之不可 溶多孔性涂层之方法,包括之步骤为: (A)以如申请专利范围第12项中制备之产物涂布基 材; (B)使经涂布之基材在足够之温度下加热,使涂料组 合物硬化,及 (C)使经涂布之基材进一步加热至足够之温度,自硬 化之涂料组合物移除任一R2,因此在基材上形成不 可溶多孔性涂层。24.如申请专利范围第23项之方 法,其中之硬化及移除步骤系在超过20℃至600℃之 温度下,于单一步骤中进行。25.如申请专利范围第 23项之方法,其中该基材系一电子用基材。 |
