| 主权项 |
1.一种形成凹槽闸极轮廓的方法,包括下列步骤: 提供一基底,其上已形成一垫氧化层; 在该垫氧化层上形成一多晶矽层; 去除部份的该多晶矽层以形成一闸极堆叠结构,其 中该闸极堆叠结构包括与该垫氧化层相接触的第 一边,与相对于该第一边的第二边;及 对该闸极堆叠结构进行热氧化处理,使得该第一边 的长度小于该第二边的长度,且其长度差系介于0 至400埃(A)之间。2.如申请专利范围第1项所述之形 成凹槽闸极轮廓的方法,其中热氧化该闸极堆叠结 构的步骤中,系在该闸极堆叠结构上形成一氧化薄 层,其中该氧化薄层在该闸极堆叠结构之第一边, 向内凹进于一侧壁中。3.如申请专利范围第2项所 述之形成凹槽闸极轮廓的方法,其进一步包括下列 步骤: 去除部份的该氧化薄层与该垫氧化层,以露出部份 的该闸极堆叠结构; 以该闸极堆叠结构为罩幕层,在该基底内植入第一 种掺杂离子,以形成轻掺杂汲极(LDD)结构; 在该闸极堆叠结构两侧形成一侧壁;及 以该闸极堆叠结构与该侧壁为第二罩幕层,在该基 底中植入第二种掺杂离子,以形成源/汲极区域。4. 如申请专利范围第3项所述之形成凹槽闸极轮廓的 方法,其中该第一种掺杂离子系选自磷离子及硼离 子,且该第二种掺杂离子则选自砷离子及硼离子/ 氟化硼。5.如申请专利范围第1项所述之形成凹槽 闸极轮廓的方法,其中去除部份的该多晶矽层形成 该闸极堆叠结构的步骤中,进一步包括: 在该多晶矽层上覆盖一罩幕层; 蚀刻未被罩幕层覆盖的该多晶矽层;及 除去该罩幕层。6.一种形成凹槽闸极轮廓的方法, 包括下列步骤: 提供一基底,其上已形成一垫氧化层; 在该垫氧化层上沈积一多晶矽层; 蚀刻部份的该多晶矽层,以形成一闸极堆叠结构, 其中该闸极堆叠结构具有一侧壁; 进行一热氧化制程,以在该闸极堆叠结构上形成一 氧化薄层,其中靠近该垫氧化层的该氧化薄层向内 凹入形成于该侧壁。7.如申请专利范围第6项所述 之形成凹槽闸极轮廓的方法,其中靠近该垫氧化层 的该氧化薄层向内凹入形成于该侧壁的步骤中,使 得该闸极堆叠结构的第一边长度小于第二边,而该 第一边系指与该垫氧化层接触的一边,并相对于第 二边。8.如申请专利范围第6项所述之形成凹槽闸 极轮廓的方法,其中在蚀刻制程前先在该多晶矽层 上形成一罩幕层,在蚀刻步骤后即移除该罩幕层。 9.如申请专利范围第6项所述之形成凹槽闸极轮廓 的方法,在进行热氧化制程之步骤后,进一步包括 下列步骤: 除去部份的该氧化薄层与该垫氧化层,以露出部份 的该闸极堆叠结构; 以该闸极堆叠结构为第一罩幕层,进行第一种掺杂 离子的植入制程,以形成轻掺杂汲极(LDD)结构; 在该闸极堆叠结构两侧形成一间隙壁;及 以该闸极堆叠结构与该间隙壁为第二罩幕层,在该 基底中植入第二种掺杂离子,以形成源/汲极区域 。10.如申请专利范围第9项所述之形成凹槽闸极轮 廓的方法,其中该间隙壁由一氧化物组成。图式简 单说明: 第1A图至第1E图为本发明形成凹槽闸极轮廓结构之 各步骤剖面图。 |
