半导体衬底的处理方法和半导体衬底

摘要

一种半导体衬底的处理方法和半导体衬底，提供了防止从衬底边缘部产生颗粒。通过在SOI衬底10的边缘部处相对于SOI衬底10的直径方向注入硅离子，SOI衬底10的边缘部的埋入氧化膜2成为富硅的状态，作成在边缘部处埋入氧化膜2实际上已消失的SOI衬底100。

主权项

1.一种半导体衬底的处理方法，该半导体衬底具有：一个主面、其相对一侧的另一个主面和侧面部，所述一个主面中规定形成有源区的部分即中央部，所述一个主面中规定包含所述中央部的周边区域和所述侧面部的部分即边缘部，所述半导体衬底是用SIMOX法形成的SOI衬底，其特征在于：具备在所述一个主面的表面内按顺序层叠形成的埋入氧化膜和SOI层，通过在所述边缘部中注入硅离子，使所述埋入氧化膜中的在所述边缘部内形成的部分消失。