发明名称 |
Deep trench DRAM process on SOI for low leakage DRAM cell |
摘要 |
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申请公布号 |
EP0703625(B1) |
申请公布日期 |
2004.06.09 |
申请号 |
EP19950114657 |
申请日期 |
1995.09.18 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
ALSMEIER, JOHANN;STENGL, REINHARD JOHANNES |
分类号 |
H01L21/8242;H01L27/108;H01L27/12;H01L29/786;(IPC1-7):H01L27/108;H01L21/82;H01L21/824 |
主分类号 |
H01L21/8242 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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